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6. EEPROM从应用程序代码读出不以锁定位模式3工作
当
内存锁位LB2和LB1被编程为模式3 ， EEPROM
读出不从应用程序代码。
问题修复/解决方法
不设置锁定位保护模式3时，应用程序代码需要从阅读
EEPROM 。
ATmega2561转速。 ê
No
已知的勘误表。
ATmega2561转速。
不
采样。
ATmega2561转速。
高电流消耗在睡眠模式
1.高电流消耗处于睡眠模式。
如果待处理的中断无法从选定的睡眠模式唤醒一部分时，该
执行SLEEP时电流消耗在睡眠时增加指令
一个SEI指令后，直接和灰。
问题修复/解决方法
在进入睡眠，不中断用于唤醒一部分从睡眠模式
应禁用。
ATmega2561转速。 B
不
采样。
ATmega2561转速。一
1.
非同时读 - 写的不闪功能区
部分没有在2.4伏特工作
不正确的ADC读数差模
内部ADC参考电压的值太低
IN / OUT指令可以被执行两次时，堆栈是在外部RAM
EEPROM的应用程序代码读出不以锁定位模式3工作
非同时读 - 写的不闪功能区
该
非同时读 - 写
闪光的区域不按预期工作。的概率
阅读本领域的闪光灯时莱姆涉及的部分的速度。
问题修复/解决方法
- 仅使用闪光灯的第一个248K 。
- 如果引导功能是必要的，请在该代码
非同时读 - 写
面积
该设备在任何给定电压的最大频率的最大值的1/ 4 。这
通过写寄存器CLKPR输入代码的引导部分之前完成。
436
ATmega640/1280/1281/2560/2561
2549K–AVR–01/07
