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图16 。
低128字节内部RAM组织
7Fh
30h
2Fh
20h
18h
10h
08h
00h
1Fh
17h
0Fh
07h
4银行
8个寄存器
R0-R7
位寻址空间
（位地址0-7Fh ）
高128字节RAM
高128字节的RAM地址从80H到FFH访问只用间接
寻址模式。
片内2K的扩展RAM字节（ ERAM ）是可从地址0000h到
使用间接寻址方式，通过MOVX指令07FFH 。在此地址
范围，在AUXR寄存器EXTRAM位（见表29） ，用于选择的ERAM
（默认）或XRAM 。如图15时EXTRAM = 0时， ERAM选择
当EXTRAM = 1时，XRAM选择（见“外部空间”）。
该ERAM内存可以使用XRS1调整大小： 0位AUXR动态注册到
增加外部访问的XRAM空间。表26详细说明了选择的ERAM大小
和地址范围。
表26 。
ERAM尺寸选择
XRS1
0
0
1
1
XRS0
0
1
0
1
ERAM尺寸
256字节
512个字节
1K字节
2K字节
地址
0 00FFH的
0至01FFh单元
0到03FFh
0至07FFh
扩展RAM
注意：
低128字节RAM ，高128字节RAM和扩展RAM是由挥发性
存储器单元。这意味着该RAM的内容是在加电后的和不确定的
然后，必须正确初始化。
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AT8xC51SND1C
4109E–8051–06/03
