位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第785页 > AT89C51CC02CA-TDSUM > AT89C51CC02CA-TDSUM PDF资料 > AT89C51CC02CA-TDSUM PDF资料2第27页
AT/T89C51CC02
网络连接gure 10 。
低128字节内部RAM组织
7Fh
30h
2Fh
20h
18h
10h
08h
00h
1Fh
17h
0Fh
07h
4银行
8个寄存器
R0-R7
位寻址空间
（位地址0-7Fh ）
高128字节RAM
高128字节的RAM地址从80H到FFH访问只用间接
寻址模式。
片内256字节扩展RAM （ XRAM ）是可从地址0000h到
使用间接寻址方式，通过MOVX指令00FFh单元。在此地址
范围内。
注意：
低128字节RAM ，高128字节RAM和扩展RAM是由挥发性
存储器单元。这意味着该RAM的内容是在加电后的和不确定的
然后，必须正确初始化。
扩展RAM
27
4126J–CAN–05/06
