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程序/代码
内存
该AT89C5130A / 31A -M实现片上程序/代码存储器的16位/ 32千字节。
图13显示了内部和外部程序/代码存储空间的分割
根据不同的产物。
该闪存在电路中的电era-增加了EPROM和ROM功能
肯定和编程。由于内部电荷泵，高电压所需要的
编程或擦除闪存单元是使用标准的V在片上产生
DD
电压
年龄。因此，闪存可以只用一个电压进行编程，并允许在 -
应用软件编程俗称的IAP 。硬件编程
模式也可使用特定的编程工具。
图13 。
程序/代码存储器组织
FFFFH
FFFFH
48字节
外部代码
32字节
外部代码
4000h
3FFFh
8000h
7FFFh
16字节
FL灰
32字节
FL灰
0000h
AT89C5130A
0000h
AT89C5131A
注意：
如果程序只执行从片上程序存储器（而不是从外部的MEM
储器） ，提防从片上存储器的高字节执行代码（ 3FFFH / 7FFFh表示）
并从而干扰I / O端口0和2由于外部预取。取代码不变
从这个位置，不影响端口0和2 。
外部程序存储器
ACCESS
存储器接口
所述外部存储器接口包括外部总线（端口0和端口2 ），以及
总线控制信号（ PSEN和ALE ） 。
图14显示了外部地址总线的结构。 P0进行地址A7 ： 0
而P2进行地址A15 ： 8 。数据D7 ：在P0 0 ： 0复用A7 。表33
介绍外部存储器接口信号。
图14 。
外部程序存储器接口结构
AT89C5130A
AT89C5131
P2
ALE
P0
AD7 ： 0
FL灰
EPROM
A15:8
A15:8
A7:0
LATCH
A7:0
D7:0
PSEN
OE
28
AT89C5130A/31A-M
4337G–USB–11/06
