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闪存EEPROM存储器和
数据EEPROM存储器
表123 。
时序符号去连接nitions
信号的
S（硬件
条件）
R
B
PSEN ， EA
RST
FBUSY标志
L
V
X
条件
低
有效
不再有效
表124 。
内存时序交流
VCC = 3.3V ± 10 ％ ，T
A
= -40+ 85°C
符号
T
SVRL
T
RLSX
T
BHBL
T
BHBL
参数
输入PSEN有效到RST边缘
RST边缘后输入PSEN保持
闪存EEPROM内部忙
（编程）时间
EEPROM数据内部忙
（编程）时间
闪存EEPROM程序存储器写
周期
配置位（熔丝位）内存写入
周期（ BLJB ，X2 OSCON0 ， OSCON1 ）
EEPROM数据存储器写周期
民
50
50
10
10
20
20
100K
1K
100K
典型值
最大
单位
ns
ns
ms
ms
周期
周期
周期
图82 。
FLASH存储器 - ISP波形
RST
T
SVRL
PSEN
T
RLSX
图83 。
FLASH存储器 - 内部波形忙
FBUSY位
T
BHBL
172
AT89C5130A/31A-M
4337G–USB–11/06
