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D A T A
中文ê （E T）
DC特性
（二Am29LV065设备）
CMOS兼容
参数
符号
I
LI
I
点亮
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
I
加
V
IL
V
IH
V
HH
V
ID
V
OL
V
OH1
V
OH2
V
LKO
参数说明
输入负载电流
A9 ， ACC输入负载电流
输出漏电流
V
CC
读操作工作电流
（注1,2 ）
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
,
V
CC
= V
CC MAX
V
CC
= V
CC MAX
; A9 = 12.5 V
V
OUT
= V
SS
到V
CC
,
V
CC
= V
CC MAX
CE ＃ （或CE2 ＃ ） = V
IL
,
OE ＃ = V
IH
5兆赫
1兆赫
9
2
26
0.4
0.4
0.4
5
15
–0.5
0.7× V
CC
V
CC
= 3.0 V ± 10%
V
CC
= 3.0 V
±
10%
I
OL
= 4.0毫安， V
CC
= V
CC分钟
I
OH
= -2.0毫安，V
CC
= V
CC分钟
I
OH
= -100 μA ，V
CC
= V
CC分钟
0.85 V
IO
V
IO
–0.4
2.3
2.5
11.5
8.5
民
典型值
最大
±1.0
70
±1.0
16
4
30
10
10
10
10
30
0.8
V
CC
+ 0.3
12.5
12.5
0.45
单位
A
A
A
mA
mA
A
A
A
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
CC
活跃的写入电流（注2 ， 3 ，
CE ＃ （或CE2 ＃ ） = V
IL
， OE ＃ = V
IH
4)
V
CC
待机电流（注2 ）
V
CC
复位电流（注2 ）
自动休眠模式（注2,5）
ACC加速编程电流
（注4 ）
输入低电压（注6）
输入高电压（注6）
电压ACC计划
促进
电压自动选择和
临时机构撤消
输出低电压
输出高电压（注7 ）
低V
CC
锁定电压（注7 ）
CE ＃ ， CE2 ＃ ， RESET ＃ = V
CC
±
0.3 V
RESET ＃ = V
SS
±
0.3 V
V
IH
= V
CC
±
0.3 V; V
IL
= V
SS
±
0.3 V
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
加
V
CC
注意事项：
1.我
CC
目前上市的是通常小于2毫安/兆赫，使用OE ＃在V
IH
.
2.我最大
CC
特定网络连接的阳离子与V测试
CC
= V
CC
马克斯。
3. I
CC
积极而嵌入式擦除或嵌入式程序正在进行中。
4.假设只有一个Am29LV065模被编程的同时。
5.自动休眠模式可以在地址保持稳定吨的低功耗模式
加
+ 30纳秒。典型睡眠模式电流是
400 nA的。
6.如果V
IO
＆ LT ; V
CC
，最大V
IL
对于CE＃ （或CE2 ＃ ）为0.3 V
IO
。如果V
IO
＆ LT ; V
CC
，最小V
IH
对于CE＃ （或CE2 ＃ ）为0.3 V
IO
.
7.未经100％测试。
8. CE＃可以参照该包内的第二设备时被替换为CE2 ＃ 。
9.规格表中都为Am29LV652即2 Am29LV065骰子。
36
Am29LV652D
24961A5 2006年5月5日
