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D A T A
擦除操作可以擦除一个扇区，多节
器，或整个设备。
表2 ，第13页
indi-
凯茨每个扇区占用的地址空间。一
“扇区地址”由所要求的地址位
唯一地选择一个扇区。 “命令Defini-
范“部分包含的详细信息擦除扇区或
整个芯片，或暂停/恢复擦除OP-
累加器。
系统后写自选命令SE-
quence ，器件进入自动选择模式。该
然后，系统可以从接口读取自动选择码
纳尔寄存器（它是分开的存储器阵列）
在DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序适用
此模式。参阅
“自选模式”第15页
和
第21页上的“自动选择命令序列”
部分以获取更多信息。
I
CC2
在DC特性表代表了AC-
略去电流规格为写入模式。该
“ AC
第34页上的特点“
部分包含时序
规格表和时序图写能操作
ations 。
加快程序运行
该器件提供加速方案业务
通过ACC功能。这是两个功能之一
由ACC引脚提供。此功能主要IN-
倾向于允许更快的生产量在
工厂。
如果系统断言V
HH
该引脚上，该装置自动
自动进入上述解锁绕道
模式，暂时取消保护所有受保护的行业，
并使用较高的电压在销上以减少
所需的编程操作时间。然后，该系统
采用双循环程序的命令序列重新
通过解锁旁路模式quired 。删除V
HH
从ACC引脚器件返回到正常操作
化。需要注意的是ACC脚不能在V
HH
OP-为
操作比加速程序等，或
设备的损坏可能会导致。
中文ê （E T）
该器件进入CMOS待机模式时，
CE ＃和RESET ＃引脚均保持在V
CC
±
0.3 V.
（注意，这是一个更受限制的电压范围比
V
IH
）如果CE ＃和RESET ＃保持在V
IH
但内
V
CC
±
0.3 V时，设备处于待机模式，但
待机电流就越大。该设备需要标
准存取时间（t
CE
），用于当所述DE-读访问
副是在这两种待机模式，它是前
准备读取数据。
该设备还进入待机模式时
RESET ＃引脚被拉低。请参阅下一节
“ RESET ＃ ：硬件复位引脚” 。
如果设备被擦除或编程过程中取消选择
明，该器件消耗的有功电流，直到
操作完成。
I
CC3
在DC特性表代表
待机电流规格。
自动休眠模式
自动睡眠模式，最大限度地降低闪存器件
能量消耗。自动装置
使得当地址保持稳定为这种模式
t
加
+ 30纳秒。自动睡眠模式
独立的CE ＃ ， WE ＃和OE ＃控制
信号。标准地址的访问时序提供了新的
当地址被更改的数据。而在睡眠
模式时，输出数据被锁存并总是可用
该系统。我
CC4
在DC特性表
再版也先TS前作自动休眠谟德立方米rren吨
特定连接的阳离子。
RESET ＃ ：硬件复位引脚
在RESET ＃引脚提供了重新的硬件方法
该装置设置为读取阵列的数据。当RE-
SET ＃引脚被拉低了至少一个周期T
RP
中，
设备
立即终止
在任何操作
进步，所有的三态输出引脚，而忽略所有
阅读的RESET ＃持续时间/写命令
脉搏。该器件也复位内部状态马
茅根阅读阵列的数据。这是IN-操作
terrupted应当重新开始，一旦该设备是
准备好接受另一个命令序列，以恩
确保数据的完整性。
电流减小为的RESET ＃持续时间
脉搏。当RESET ＃保持在V
SS
± 0.3 V时，器件
平CMOS待机电流（I
CC4
） 。如果RESET ＃举行
在V
IL
但不是在V
SS
± 0.3 V时，待机电流
更大的。
在RESET ＃引脚可以连接到系统复位税务局局长
cuitry 。系统复位也会重置闪存存储器
储器，使系统能够读取引导固件
从FLASH存储器。
如果RESET ＃是在一个程序断言或擦除OP-
关合作，所述RY / BY＃引脚保持为“0” （忙），直到
内部复位操作完成，这需要一个
2006年22268B5 9月12日，
编程和擦除操作状态
在一个擦除或写入操作时，系统
通过读取台站检查操作的状态
状态位在DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序
我
CC
读取规格适用。请参阅
“写OP-
第26页上关合作状态“
有关详细信息，并
to
第34页的“AC特性”
时序dia-
克。
待机模式
当系统没有读取或写入到设备
副，它可以将器件置于待机模式。在
这种模式下，电流消耗大大减少，
并输出被放置在高阻抗
国家，独立的OE ＃输入。
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Am29LV033C
