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数据表
Am29LV033C
32兆位（ 4米×8位）
CMOS 3.0伏只统一部门快闪记忆体
此产品已退休，不建议设计。对于新的和现有的设计， S29AL032D取代Am29LV033C ，是厂家推荐的迁移路径。
请参阅S29AL032D数据表的规格和订购信息。可用性本文档的保留仅供参考，历史的目的。
特色鲜明
架构优势
软件特点
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零功耗工作
- 先进的电源管理电路减少
在非活动期间到近功率消耗
零
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封装选项
- 63球FBGA
- 40针TSOP
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兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
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单电源工作
- 全电压范围： 2.7 3.6伏读取和写入
对于电池供电的应用操作
- 稳压电压范围： 3.0 3.6伏读取和
写操作和用于与高兼容性
高性能3.3伏微处理器
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灵活的部门架构
- 64个字节扇区
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在0.32微米制程技术制造的
性能特点
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支持通用闪存接口（ CFI ）
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擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作，使编程
在同一家银行
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数据＃查询和翻转位
- 提供检测状态的软件的方法
编程或擦除周期
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解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
硬件特性
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任何部门的结合可以被删除
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就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）
硬件方法检测编程或擦除
周期结束
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硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
硬件复位内部状态的方法
机读方式
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ACC输入引脚
- 加速度（ ACC ）功能提供加速
节目时间
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扇区保护
硬件锁定的扇区的方法，无论是
在系统或使用编程设备，以
防止任何程序或内擦除操作
扇形
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
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命令序列的大容量存储优化
- 不需要解锁周期的具体地址
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高性能
- 存取时间快70纳秒
- 计划时间： 7微秒/字节典型的利用加速
功能
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超低功耗（典型值）
- 2毫安在1 MHz有源读取电流
- 在5 MHz 10毫安有效的读电流
- 200 nA的待机或自动睡眠模式
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至少1百万次写周期保证
每个扇区
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20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
该数据表规定了AMD的关于这里所描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版＃
22268
启：
B
Amendment/5
发行日期：
2006年9月12日
