D A T A
中文ê （E T）
DC特性
TTL / NMOS兼容
参数
符号
I
LI
I
点亮
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
V
IL
V
IH
V
ID
V
OL
V
OH
V
LKO
参数说明
输入负载电流
A9输入负载电流
输出漏电流
V
CC
读取电流（注1 ）
V
CC
写入电流（注2,3）
V
CC
待机电流
（ CE ＃控制）
V
CC
待机电流
（ RESET ＃控制）
输入低电平
输入高电平
电压自动选择和部门
V
CC
= 5.0 V
保护
输出低电压
输出高电平
低V
CC
锁定电压
I
OL
= 12 mA时， V
CC
= V
CC
民
I
OH
= -2.5毫安V
CC
= V
CC
民
2.4
3.2
4.2
测试说明
V
IN
= V
SS
到V
CC
, V
CC
= V
CC
最大
V
CC
= V
CC
马克斯， A9 = 12.5 V
V
OUT
= V
SS
到V
CC
, V
CC
= V
CC
最大
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH
V
CC
= V
CC
马克斯，CE ＃ = V
IH
,
RESET ＃ = V
IH
V
CC
= V
CC
马克斯， RESET ＃ = V
IL
–0.5
2.0
11.5
25
40
0.4
0.4
民
典型值
最大
±1.0
50
±1.0
40
60
1.0
1.0
0.8
V
CC
+ 0.5
12.5
0.45
单位
A
A
A
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
CMOS兼容
参数
符号
I
LI
I
点亮
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
V
IL
V
IH
V
ID
V
OL
V
OH1
V
OH2
V
LKO
参数说明
输入负载电流
A9输入负载电流
输出漏电流
V
CC
读取电流（注1 ）
V
CC
写入电流（注2,3）
V
CC
待机电流
（ ＃控制CE ） （注
4)
V
CC
待机电流
（ ＃控制RESET ） （注
4)
输入低电平
输入高电平
电压自动选择
和部门保护
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
V
CC
= 5.0 V
I
OL
= 12 mA时， V
CC
= V
CC
民
I
OH
= -2.5毫安，V
CC
= V
CC
民
I
OH
= –100
μA,
V
CC
= V
CC
民
0.85 V
CC
V
CC
– 0.4
3.2
4.2
测试说明
V
IN
= V
SS
到V
CC
, V
CC
= V
CC
最大
V
CC
= V
CC
马克斯， A9 = 12.5 V
V
OUT
= V
SS
到V
CC
, V
CC
= V
CC
最大
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH
V
CC
= V
CC
马克斯，CE ＃ = V
CC
±
0.5 V,
RESET ＃ = V
CC
±
0.5 V
V
CC
= V
CC
最大，
RESET ＃ = V
SS
±
0.5 V
–0.5
0.7倍V
CC
11.5
25
30
1
1
民
典型值
最大
±1.0
50
±1.0
40
40
5
5
0.8
V
CC
+ 0.3
12.5
0.45
单位
A
A
A
mA
mA
A
A
V
V
V
V
V
V
V
直流特性笔记（表） ：
1.我
CC
电流通常小于1毫安/兆赫，使用OE ＃在V
IH
.
2. I
CC
积极而嵌入式程序或嵌入式擦除算法正在进行中。
3.未经100％测试。
4.对于CMOS模式下只有我
CC3
, I
CC4
= 20 μA ，在扩展级温度（大于+ 85°C ） 。
2006年11月1日21444E6
Am29F016D
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