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D A T A
中文ê （E T）
DC特性
TTL / NMOS兼容
参数
I
LI
I
点亮
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
V
IL
V
IH
V
ID
V
OL
V
OH
V
LKO
描述
输入负载电流
A9 ， OE ＃输入负载电流
（注4 ）
输出漏电流
V
CC
读操作工作电流（注1,2 ）
V
CC
活跃的写入电流（注1 ， 3 ， 4 ）
V
CC
待机电流（注1 ）
输入低电压
输入高电压
电压自动选择和临时机构
V
CC
= 5.0 V
撤消
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
I
OL
= 12 mA时， V
CC
= V
CC分钟
I
OH
= -2.5毫安，V
CC
= V
CC分钟
2.4
3.2
4.2
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
, V
CC
= V
CC MAX
V
CC
= V
CC MAX
;
A9 ， OE ＃ = 12.5 V
V
OUT
= V
SS
到V
CC
, V
CC
= V
CC MAX
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
CE ＃ ， OE ＃ = V
IH
–0.5
2.0
11.5
20
30
0.4
民
典型值
最大
±1.0
50
±1.0
30
40
1
0.8
V
CC
+ 0.5
12.5
0.45
单位
A
A
A
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
V
注意事项：
1.我最大
CC
特定网络连接的阳离子与V测试
CC
= V
CCmax
.
2.我
CC
目前上市的是通常小于2毫安/兆赫，使用OE ＃
在V
IH
.
3. I
CC
积极而嵌入式擦除或嵌入式程序是
进展情况。
4.未经100％测试。
2006年5月9日Am29F004B_00_E4
Am29F004B
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