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互联网数据表
HYS[64/72]T[32/64/128][0/9]xxEU-[25F/2.5/3/3S/3.7]-B2
无缓冲DDR2 SDRAM模组
13）
t
HZ
,
t
RPST
和
t
LZ
,
t
RPRE
参数是参照一个特定的电压电平，用于指定当该装置输出不再驱动
(
t
赫兹，
t
RPST
） ，或者开始驱动（
t
LZ ，
t
RPRE
).
t
HZ
和
t
LZ
转换发生在相同的访问时间窗作为有效数据transitions.These
参数由设计和特性验证，但未经生产测试。
14）自动刷新命令间隔已被在之间85的温度范围内操作的DDR2 DRAM时减少到3.9微秒
°C
和95
°C.
15) 0 °C≤
T
例
≤
85
°C
16) 85
° ℃下
T
例
≤
95
°C
17 ）最多八个自动刷新命令，可以发布到任何给定的DDR2 SDRAM器件。
18）
t
RRD
定时参数取决于DRAM的组织的页面大小。看
表2 “订购的RoHS信息
第4页上符合标准的产品。“
19）的最大限制为
t
WPST
参数不是设备的限制。该器件采用此参数的更大的价值，但系统
性能（总线周转）相应降低。
20 ） WR必须通过编程来实现的最低要求
t
WR
时序参数，其中，
WR
民
[次] =
t
WR
（ NS ） /
t
CK
（ NS ）四舍五入
到下一个整数值。
t
DAL
= WR + （
t
RP
/
t
CK
） 。对于每个方面，如果不是已经整数，舍入到下一个最高的整数。
t
CK
指该应用程序的时钟周期。 WR是指存储在梁中的WR参数。
21 ）最低
t
WTR
是在工作频率的DDR2 -SDRAM当两个钟
≤ 200 ΜΗz.
22 ）用户可以选择两种不同的活性掉电模式进一步节电通过MRS地址位A12 。在“标准的主动加电
断模式“ （MR ，A12 =”0“ ）快速掉电出口定时
t
XARD
都可以使用。在“低有效省电模式” （MR ， A12 = “ 1 ” ）慢
掉电退出时机
t
XARDS
必须被满足。
3.3.3
ODT AC电气特性
ODT AC字符。 &工作条件：
表18
为DDR2-667 & DDR2-800和
表19
为DDR2-533 & DDR2-400
表18
ODT AC字符。和工作条件DDR2-667 & DDR2-800
符号
参数/条件
值
分钟。
马克斯。
2
NCK
ns
ns
NCK
ns
ns
NCK
1)
1)2)
1)
1)
1)3)
1)
1)
单位
记
1)
ODT掉电退出延时
8
—
NCK
1 ）新的单位， “
t
CK.AVG
“和” NCK “ ，在DDR2-667和DDR2-800介绍。单位“
t
CK.AVG
'表示实际
t
CK.AVG
输入时钟的
t
AOND
t
AON
t
AONPD
t
AOFD
t
AOF
t
AOFPD
t
ANPD
t
AXPD
ODT导通延迟
ODT开启
ODT开启（省电模式）
ODT关断延迟
ODT关闭
ODT关闭（省电模式）
ODT掉电模式进入潜伏期
2
t
ac.min
t
ac.min
+ 2纳秒
2.5
t
AC.MAX
+ 0.7纳秒
2
t
CK +
t
AC.MAX
+ 1纳秒
2.5
t
ac.min
t
ac.min
+ 2纳秒
3
t
AC.MAX
+ 0.6纳秒
2.5
t
CK +
t
AC.MAX
+ 1纳秒
—
下操作。部“ NCK '表示在输入时钟的一个时钟周期，计数实际的时钟边沿。另外，在DDR2 400和
DDR2-533 ， “
t
CK
“用于两个概念。例如：
t
XP
= 2 [ NCK ]的意思;如果掉电退出登记在Tm ，激活命令可能
可以在Tm + 2注册，即使（ Tm为+2 - Tm）为2×
t
CK.AVG
+
t
EPR.2PER(MIN)
.
2） ODT开启时间（min）是当设备离开高阻抗和ODT电阻将开始导通。 ODT的开启时间max是当
ODT电阻是完全的。无论是从测量
t
AOND
，这是每个高速箱不同的解释。对于DDR2-667 / 800 ，
t
AOND
是2个时钟
之后注册的第一个ODT HIGH计算实际输入时钟沿的时钟边沿周期。
3） ODT关闭时间分钟。是在设备启动时，关闭的ODT电阻。 ODT关闭时间最多是在总线处于高阻态。
无论是从测量
t
AOFD
。无论是从测量
t
AOFD
，这是每个高速箱不同的解释。对于DDR2-667 / 800 ，如果
t
CK.AVG
=
3 ns的假设，
t
AOFD
= 1.5纳秒（ 0.5
×
3 NS ）的时钟边沿注册的第一ODT第二尾随时钟边沿计数后
和以计数的实际输入时钟边沿。
1.0版， 2006-10
10202006-L0SM-FEYT
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