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互联网数据表
HYS[64/72]T[32/64/128][0/9]xxEU-[25F/2.5/3/3S/3.7]-B2
无缓冲DDR2 SDRAM模组
参数
突发刷新电流
t
CK
=
t
CK.MIN
。 ,刷新命令,每
t
RFC
=
t
RFC.min
间隔, CKE为高电平, CS为高电平有效的
命令,其他的控制和地址输入切换,数据总线输入切换。
分布式刷新当前
t
CK
=
t
CK.MIN 。
每刷新命令
t
RFC
=
t
REFI
间隔, CKE为低且CS为高电平有效的
命令,其他的控制和地址输入切换,数据总线输入切换。
符号说明
1)2)3)4)5)
I
DD5B
I
DD5D
自刷新电流
I
DD6
CKE
0.2 V ;外部时钟关闭, CK和CK为0 V ;其他的控制和地址输入浮动,数据
总线输入浮动。
I
DD6
当前值可以保证最高
T
85
°C
马克斯。
所有银行交错读取电流
I
DD7
所有的银行都被交错最低
t
RC
在不违反
t
RRD
使用4.控制的突发长度
和地址总线输入是在取消选择稳定。
I
OUT
= 0毫安。
1)
V
DDQ
= 1.8 V
±
0.1 V;
V
DD
= 1.8 V
±
0.1 V
2)
I
DD
规格测试后,该设备已正确初始化,
I
DD
参数指定与ODT禁用。
3 )定义为
I
DD
SEE
表21
4 )对于双列模块:为所有有源电流测量其他排名在预充电掉电模式
I
DD2P
6)
5 )有关详细信息和注意事项请参阅相关的奇梦达的组件数据表
6)
I
DD1
,
I
DD4R
I
DD7
电流测量与禁止输出定义(
I
OUT
= 0 mA)的。要在模块级实现这一目标的输出
缓冲器可以通过设置A12位为HIGH使用EMRS (1)(扩展模式寄存器的命令)被禁用。
表21
用于定义
I
DD
参数
稳定
漂浮的
开关
描述
V
IN
V
白细胞介素( AC)的.max
,高被定义为
V
IN
V
IH (交流) .MIN
输入为高或低的水平稳定
输入是
V
REF
=
V
DDQ
/2
输入的地址和控制HIGH和LOW所有其他时钟之间变化(每秒2次)
信号,并投入DQ HIGH和LOW所有其他数据传输(每循环一次)之间的变化
信号不包括面罩或频闪灯
1.0版, 2006-10
10202006-L0SM-FEYT
33

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