位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第733页 > HYS72T32000HU-2.5-A > HYS72T32000HU-2.5-A PDF资料 > HYS72T32000HU-2.5-A PDF资料1第20页
互联网数据表
HYS[64/72]T[16/32/64]0xxHU–[2.5/../5]–A
无缓冲DDR2 SDRAM模组
3.3.2
组件AC时序参数
表16
DRAM组件时序参数速率等级 - DDR2-800
时序参数为DDR2-800 （表
16),
DDR2-667(Table
17),
DDR2-533(Table
18)
和DDR2-400 （表
19).
参数
符号
DDR2–800
分钟。
马克斯。
+400
+350
0.52
0.52
8000
—
—
—
—
单位
记
1)2)3)4)5)6)7)
8)
从CK / CK DQ输出访问时间
从CK / CK DQS输出访问时间
平均时钟高脉冲宽度
平均时钟低电平脉冲宽度
t
AC
t
DQSCK
t
CH.AVG
–400
–350
0.48
0.48
2500
50
125
0.6
0.35
—
ps
ps
9)
9)
t
CK.AVG
t
CK.AVG
ps
ps
ps
10)11)
10)11)
10)11)
12)13)14)
13)14)15)
t
CL.AVG
平均时钟周期
t
CK.AVG
DQ和DM输入建立时间
t
DS.BASE
DQ和DM输入保持时间
t
DH.BASE
控制&地址输入脉冲宽度为每个输入
t
IPW
DQ和DM输入脉冲宽度为每个输入
t
DIPW
从CK / CK数据输出高阻抗的时间
t
HZ
从CK / CK DQS / DQS低阻抗时间
t
LZ.DQS
从CK / CK DQ低阻抗时间
t
LZ.DQ
DQS -DQ歪斜的DQS &相关DQ信号
t
DQSQ
CK半脉宽
t
HP
DQ举行倾斜因子
从DQS DQ / DQS输出保持时间
写命令DQS相关的时钟边缘
t
CK.AVG
t
CK.AVG
ps
ps
ps
ps
ps
ps
ps
NCK
9)16)
9)16)
9)16)
17)
18)
t
ac.min
2
×
t
ac.min
—
敏（
t
CH.ABS
,
t
CL.ABS
)
—
t
AC.MAX
t
AC.MAX
t
AC.MAX
200
__
300
—
+ 0.25
—
—
—
—
0.6
—
—
—
1.1
0.6
—
—
—
—
t
QHS
t
QH
WL
19)
20)
t
HP
–
t
QHS
RL = 1
– 0.25
0.35
0.35
0.2
0.2
0.4
0.35
175
250
0.9
0.4
2
15
WR +
t
NRP
7.5
DQS上升沿锁存过渡到相关的时钟
t
DQSS
边缘
t
CK.AVG
t
CK.AVG
t
CK.AVG
t
CK.AVG
t
CK.AVG
t
CK.AVG
t
CK.AVG
ps
ps
21)
t
DQSH
DQS输入低脉冲宽度
t
DQSL
DQS下降沿到CK建立时间
t
DSS
DQS从CK下降沿保持时间
t
DSH
写后同步
t
WPST
写序言
t
WPRE
地址和控制输入建立时间
t
IS.BASE
地址和控制输入保持时间
t
IH.BASE
阅读序言
t
RPRE
阅读后同步
t
RPST
CAS到CAS命令延迟
t
CCD
写恢复时间
t
WR
自动预充电写恢复+预充电时间
t
DAL
内部写读命令延迟
t
WTR
DQS输入高电平脉冲宽度
21)
21)
22)23)
23)24)
25)26)
25)27)
t
CK.AVG
t
CK.AVG
NCK
ns
NCK
ns
28)
28)29)
28)30)
牧师1.41 ， 2006-11
03062006-0GN5-WTPW
20
