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初步
集成
电路
系统公司
ICS843034-01
F
EMTO
C
锁
M
ULTI
-R
吃
LVPECL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
测试条件
最低
典型
最大
单位
T
ABLE
4B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= 3.3V±5%, V
CCO_A
= V
CCO_B
= 3.3V±5%
OR
2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C)
符号
参数
VCO_SEL ， SEL0 ， SEL1 ， MR，
OE_REF ， OE_A ， OE_B ，
S_LOAD ， nP_LOAD ， S-DATA ，
S_CLOCK ， TEST_CLK ，
M0 ： M5 ， NX0 ： NX2
P_DIV
VCO_SEL ， SEL0 ， SEL1 ， MR，
OE_REF ， OE_A ， OE_B ，
S_LOAD ， nP_LOAD ， S-DATA ，
S_CLOCK ， TEST_CLK ，
M0 ： M5 ， NX0 ： NX2
P_DIV
TEST_CLK ， P_DIV ， MR，
SEL [ 1：0] ， S_CLOCK ， S-DATA ，
S_LOAD ， nP_LOAD ， OE_REF
NA2 ， NB2 ， M1 ： M4 ， M6 ： M8
NB0 ， NB1 ， NA0 ， NA1 ， M5 ，
OE_A ， OE_B ， VCO_SEL
TEST_CLK ， P_DIV ， MR，
SEL [ 1：0] ， S_CLOCK ， S-DATA ，
S_LOAD ， nP_LOAD ， OE_REF
NA2 ， NB2 ， M1 ： M4 ， M6 ： M8
NB0 ， NB1 ， NA0 ， NA1 ， M5 ，
OE_A ， OE_B ， VCO_SEL
V
OH
V
OL
产量
高压
输出低
电压
TEST;注1
TEST;注1
V
IH
输入
高压
2
V
CC
+ 0.3
V
V
CC
- 0.4
V
V
IL
输入
低电压
-0.3
0.8
V
0.3
V
CC
= V
IN
= 3.465V
150
V
A
I
IH
输入
HIGH CURRENT
V
CC
= V
IN
= 3.465V
V
CC
= 3.465V,
V
IN
= 0V
V
CC
= 3.465V,
V
IN
= 0V
V
CCO
= 3.3V ± 5%
V
CCO
= 2.5V ± 5%
V
CCO
= 3.3V ± 5%,
V
CCO
= 2.5V ± 5%
5
A
-5
A
I
IL
输入
低电流
-150
2.6
1.8
0.5
A
V
V
V
注1 ：输出端接50Ω到V
CCO_REF
/2.
T
ABLE
4C 。
。微分
DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= 3.3V±5%, V
CCO_A
= V
CCO_B
= 3.3V±5%
OR
2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
I
IH
I
IL
V
PP
参数
输入高电流
输入低电平电流
NCLK
CLK
NCLK
CLK
测试条件
V
IN
= V
CC
= 3.465V
V
IN
= V
CC
= 3.465V
V
IN
= 0V, V
CC
= 3.465V
V
IN
= 0V, V
CC
= 3.465V
-150
-5
0.15
1.3
V
CC
- 0.85
最低
典型
最大
150
150
单位
A
A
A
A
V
V
峰 - 峰值输入电压
V
CMR
共模输入电压;注： 1 ， 2
V
EE
+ 0.5
注1 ：对于单端应用
,
最大输入电压为CLK， NCLK为V
CC
+ 0.3V.
注2 ：共模电压定义为V
IH
.
843034AY-01
www.icst.com/products/hiperclocks.html
8
REV 。 2005年11月28日
