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初步
集成
电路
系统公司
ICS84314-02
700MH
Z
, C
RYSTAL
-
TO
-3.3V / 2.5V LVPECL
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER W
/F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
最低
2
-0.3
V
CC
= V
IN
= 3.465V
V
CC
= V
IN
= 3.465V
V
CC
= V
IN
= 3.465V
V
CC
= 3.465V,
V
IN
= 0V
V
CC
= 3.465V,
V
IN
= 0V
-5
-150
典型
最大
V
CC
+ 0.3
0.8
15 0
5
200
单位
V
V
A
A
A
A
A
T
ABLE
5C 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= 3.3V±5%, V
CCO
= 3.3V±5%
OR
2.5V ±5% ,T
A
= 0°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
参数
输入高电压
输入低电压
M0: M2 ,M4,M5 ,M8 ,MR
nP_LOAD , S_CLOCK ,
S-DATA , S_LOAD
输入
高电流M3 , M6 , M7 ,
XTAL_SEL , VCO_SEL
TEST_CLK
M0: M2 ,M4,M5 ,M8 ,MR
nP_LOAD , S_CLOCK ,
输入
S-DATA , S_LOAD
低电流
M3, M6, M7,
XTAL_SEL , VCO_SEL
I
IH
I
IL
T
ABLE
5D 。 LVPECL DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= 3.3V±5%, V
CCO
= 3.3V±5%
OR
2.5V ±5% ,T
A
= 0°C
TO
85°C
符号
V
OH
V
OL
参数
输出高电压;注1
输出低电压;注1
测试条件
最低
V
CCO
- 1.4
V
CCO
- 2.0
典型
最大
V
CCO
- 0.9
V
CCO
- 1.7
1.0
单位
V
V
V
V
摇摆
峰至峰输出电压摆幅
0. 6
注1 :输出端接50
Ω
到V
CCO
- 2V 。见"Parameter测量Information"部分,
"Output负载测试Circuit"图。
T
ABLE
6. I
NPUT
F
Characteristic低频
C
极特
,
V
CC
= V
CCA
= 3.3V±5%, V
CCO
= 3.3V±5%
OR
2.5V ±5% ,T
A
= 0°C
TO
85°C
符号参数
测试条件
最低
典型
最大
单位
TEST_CLK ;注1
10
40
兆赫
XTAL_IN , XTAL_OUT ;
输入频率
12
40
兆赫
f
IN
注1
S_CLOCK
50
MH
注1 :对于输入晶体参考频率范围内, M值必须为内的操作设置VCO
250MHz的700MHz的到的范围。使用12MHz的最小输入频率,男的有效值为167
≤
M
≤
466.
使用的40MHz的最大频率,男的有效值为50
≤
M
≤
140.
T
ABLE
7. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻(ESR )
旁路电容
驱动电平
12
测试条件
最低
典型
基本
40
50
7
1
兆赫
Ω
pF
mW
最大
单位
84314AY-02
www.icst.com/products/hiperclocks.html
6
REV 。 B 2005年11月17日