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IDT70T3719/99M
高速2.5V 256 / 128K X 72双端口同步静态RAM
先进
工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(3)
(V
DD
= 2.5V ± 100mV的）
70T3719/99M
S166
Com'l
只
符号
I
DD
参数
工作动态
电流（两个
端口激活）
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
全待机电流
（这两个端口 - CMOS
电平输入）
全待机电流
（单端口 - CMOS
电平输入）
睡眠模式电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
CE
L
和
CE
R
= V
IL
,
输出禁用，
f = f
最大
(1)
CE
L
=
CE
R
= V
IH
f = f
最大
(1)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(5)
活动端口输出禁用，
f=f
最大
(1)
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
DDQ
- 0.2V, V
IN
＆ GT ; V
DDQ
- 0.2V
或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(2)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
DDQ
- 0.2V
(5)
V
IN
＆ GT ; V
DDQ
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
活动端口，输出禁用，女= F
最大
(1)
ZZ
L =
ZZ
R =
V
IH
f=f
最大
(1)
测试条件
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
S
S
S
S
S
S
S
S
S
S
S
S
典型值。
(4)
640
___
70T3719/99M
S133
Com'l
&工业
典型值。
(4)
520
520
280
280
400
400
12
12
400
400
12
12
马克斯。
740
mA
900
380
mA
470
500
mA
620
20
mA
25
500
mA
620
20
mA
25
5687 TBL 10
马克斯。
900
___
单位
I
SB1
(6)
350
___
460
___
I
SB2
(6)
500
___
650
___
I
SB3
12
___
20
___
I
SB4
(6)
500
___
650
___
IZZ
12
___
20
___
注意事项：
1.在f = F
最大
，地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的时钟周期
CYC
使用"AC测试CONDITIONS" 。
2， F = 0表示无地址，时钟，控制线变化。仅适用于在输入CMOS电平的待机。
3.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
4. V
DD
= 2.5V ，T
A
= 25℃典型值，而不是生产测试。我
DD DC
（ F = 0 ）= 30毫安（典型值） 。
5.
CE
X
= V
IL
手段
CE
0X
= V
IL
和CE
1X
= V
IH
CE
X
= V
IH
手段
CE
0X
= V
IH
或CE
1X
= V
IL
CE
X
＆ LT ; 0.2V手段
CE
0X
＆ LT ; 0.2V和CE
1X
＆ GT ; V
DD
- 0.2V
CE
X
＆ GT ; V
DD
- 0.2V手段
CE
0X
＆ GT ; V
DD
- 0.2V或CE
1X
- 0.2V
英寸× ＆ QUOT ;表示\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;左端口或＆ QUOT ; R QUOT ;为正确的端口。
6. I
SB1
, I
SB2
我
SB4
将全部达到满待机水平
(
I
SB3)
上的相应端口（多个）如果ZZ
L
和/或ZZ
R
= V
IH
.
6.42
8
