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IDT72255LA / 72265LA CMOS SuperSync FIFO
8,192 ×18和16,384 ×18
商业和工业
温度范围
写使能（ WEN ）
当
文
输入为低时，数据可以被加载到FIFO RAM的
阵列上每个WCLK周期的上升沿，如果设备不充分。数据
被存储在RAM阵列顺序地和独立地任何正在进行的
读操作。
当
文
是高电平时，没有新的数据被写入RAM阵列中的每个
WCLK周期。
为了防止数据溢出的IDT标准模式，
FF
将变低，
抑制进一步的写操作。当完成一个有效的读取周期，
FF
将输出高电平允许写入发生。该
FF
由两个WCLK更新
周期+ T
SKEW
后RCLK周期。
为了防止数据溢出的FWFT模式，
IR
将变为高电平，抑制
进一步的写操作。当完成一个有效的读取周期，
IR
将
去LOW允许写入发生。该
IR
标志由2 WCLK更新
周期+ T
SKEW
经过有效RCLK周期。
文
被忽略，当FIFO满在任FWFT或IDT标准
模式。
读时钟（ RCLK ）
一个读周期开始于RCLK输入的上升沿。数据
读取的输出，在输入RCLK的上升沿。这是permis-
sible停止RCLK 。请注意，当RCLK为空闲，则
EF / OR， PAE
和
HF
标志将不会被更新。 （请注意， RCLK为仅能够更新
该
HF
标记置为HIGH ） 。写和读时钟可以独立或
重合。
读使能（ REN）
当读使能为低时，数据从RAM阵列向装
在每个周期的RCLK的上升沿输出寄存器，如果该设备是不
空。
当
任
输入为高电平时，输出寄存器保存前一数据
并且没有新的数据被加载到输出寄存器。数据输出Q
0
-Q
n
维持先前的数据值。
在IDT标准模式下，每一个字访问时QN，包括第一
字写入FIFO为空，必须使用要求
任志强。
当
最后一句话已经从FIFO中读出，空标志（ EF）将变低，
抑制进一步的读操作。
任
当FIFO为空，则忽略。
一旦写被执行时，
EF
将变为高电平，允许读出的发生。该
EF
标志是由两个RCLK的周期+吨更新
SKEW
经过有效WCLK周期。
在FWFT模式中，第一个字写入到一个空的FIFO的自动
去输出QN，在第三有效低到RCLK高转换+
t
SKEW
后的第一次写操作。
任
不需要被断言为低电平。为了
访问所有换句话说，读出，必须使用被执行
任志强。
在RCLK
低到硬道理高后过渡已经从FIFO中读出，
输出就绪（ OR）会高，真正的读（与RCLK
任
=
LOW ） ，抑制进一步的读取操作。
任
被忽略当FIFO
空。
串行ENABLE （ SEN ）
该
SEN
输入使能仅用于串行编程
偏移寄存器。必须在选择串行编程方法
主复位。
SEN
总是一起使用
LD 。
当这些线条
都低，在SI输入上的数据可以被加载到程序寄存器
一位对每个低到高WCLK的过渡。 （参见图4 ）
当
SEN
为高电平时，可编程寄存器保留以前
设置并没有偏移加载。
SEN
功能在两个IDT中的相同的方式
标准和FWFT模式。
输出使能（ OE ）
当输出使能启用（ LOW ） ，并行输出缓冲器
从输出寄存器接收数据。当
OE
为高电平时，输出数据
总线（尺寸Qn ）进入高阻抗状态。
LOAD （ LD ）
这是一个双重目的的销。在主复位，的状态
LD
投入决定了两个默认的偏移值（ 127或1023 ）的一
PAE
和
PAF
标志，以及该方法，通过它，这些偏移量寄存器可
编程，并行或串行。主复位后，
LD
启用写入OP-
操作和读取偏移寄存器的操作。唯一的偏移
当前选定的加载方法可用于写入的寄存器。
偏移寄存器只能并行地读出。一个低电平
LD
硕士期间
复位选择默认
PAE
07FH的偏移值（阈值127字
从空边界） ，默认
PAF
07FH的偏移值（阈
127字从全边界） ，以及其他的并行负载偏移
值。一个高点
LD
主复位过程中选择一个默认
PAE
OFFSET
3FFH （阈值从空边界1023字）的值，
默认
PAF
3FFH的偏移值（阈值从满1023字
边界） ，以及其他的串行负载偏移值。
主复位后，
LD
引脚被用于激活编程
标志偏移值的过程
PAE
和
PAF 。
拉
LD
LOW将开始
串行加载或并联负载或阅读这些偏移值。参见图4 ，
可编程标志偏移编程序列。
输出：
满标志（ FF / IR ）
这是一个双重目的的销。在IDT标准模式下，满标志（ FF ）
功能被选择。当FIFO满时
FF
将变低，进一步抑制
写操作。当
FF
为高电平时， FIFO未满。如果没有读操作
复位后执行（或者
太太
or
PRS ） ， FF
将去D越低后写道：
向FIFO （D = 8192为IDT72255LA和16384的
IDT72265LA ） 。参见图7 ，
写周期和全旗时间（ IDT斯坦
准模式） ，
的相关定时信息。
在FWFT模式下，输入就绪（ IR）的函数被选择。
IR
变低
当内存空间可用于写入数据。当不存在
再留下任何自由的空间，
IR
变为高电平，抑制进一步的写操作。
如果没有读出复位后执行（或者
太太
or
PRS） ，红外
会
经过D HIGH写入FIFO （D = 8193的IDT72255LA和16385
对于IDT72265LA ）见图9 ，
写时序（ FWFT模式） ，
对于
相关的定时信息。
该
IR
状态不仅测量FIFO存储器的内容，但
也算作一个字的输出寄存器中的存在。因此，在FWFT
模式下，必要的写操作的总数量以撤消AC
IR
一个更大的
比需要的断言
FF
在IDT标准模式。
FF / IR
是同步和更新在WCLK的上升沿。
FF / IR
是双寄存器缓冲输出。
空标志（ EF / OR）
这是一个双重目的的销。在IDT标准模式下，空标志
（ EF ）的功能选择。当FIFO是空的，
EF
将变低，
抑制进一步的读操作。当
EF
为高电平时， FIFO不为空。
参见图8 ，
读周期，空标志位和第一个字延迟时间
（ IDT标准模式） ，
的相关定时信息。
在FWFT模式，输出就绪（ OR）功能被选择。
OR
云
低电平时，第一字写入到一个空的FIFO中出现的同一时间
有效的输出。
OR
在RCLK低到高的过渡保持低电平
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2005年10月17日
