位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第153页 > IDT72T51253L5BB > IDT72T51253L5BB PDF资料 > IDT72T51253L5BB PDF资料1第35页
不写
*A*
*C*
*D*
*E*
*F*
*G*
*H*
*I*
*J*
*B*
*K*
WCLK
t
ENS
t
ENH
t
ENS
t
ENH
文
t
AS
t
AH
t
AS
t
AH
t
AS
t
AH
WRADD
D
1
Q
3
Addr=00100
Addr=01010
D
1
Q
0
t
QS
t
QH
t
QS
t
QH
D
2
Q
2
Addr=00111
t
QS
t
QH
WADEN
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
DIN
W
D
D
1 Q3
t
FFLZ
t
WFF
t
WFF
t
WFF
t
WFF
D
1 Q0
W
D
t
FFHZ
高-Z
高-Z
FF
（设备1 ）
t
FFHZ
高-Z
t
FFLZ
t
SKEW1
1
2
3
FF
（设备2 ）
RCLK
t
AS
t
AH
RDADD
D
1
Q
0
t
QS
t
QH
Addr=00100
拉登
t
A
上一页Q W
X-1
上一页Q W
X
PFT
IDT72T51233 / 72T51243 / 72T51253 2.5V ，多队列流量控制器件
（ 4个队列）， 18位宽的配置589,824 ， 1,179,648和2,359,296位
35
t
A
D
1
-Q
5
字W
0
PFT
6115 drw16
QOUT
注意：
*AA*
*BB*
*CC*
*DD*
1.
任
= HIGH 。
周期：
*A*
队列中，装置1的Q3被选上的写端口。
该
FF
装置1中的标记是在高阻抗，先前被选定的装置2的写端口。
文
是高，所以没有写操作。
*AA*
队列中，装置1的量Q0选择所读取的端口。
*B*
该
FF
标志停留在高阻抗的2 WCLK周期。
*BB*
总之， WX- 1是举行一次读队列切换后2 RCLK周期的输出。
*C*
该
FF
设备2的标志变为高阻抗和
FF
装置1的标志变为低阻抗，逻辑高电平表示D1 Q3没有满。
文
是高，所以没有写操作。
*CC*
字，蜡质从先前选择的队列， （由于FWFT ）读取。
*D*
总之，西部数据被写入到D1的Q3 。这个写操作会导致Q3走满，
FF
变低。
*DD*
从D1的Q0对周期* AA *选择的第一个字被读出，发生这种情况无论
任
由于FWFT 。这导致读取Q0去不充分，因此，
FF
标志将变为高电平后：吨
SKEW1
+ t
WFF
.
如果注吨
SKEW1
被侵犯的时候
FF
高旗为t
SKEW1
+ WLCK + T
WFF
.
*E*
队列中，装置1的量Q0选定的写端口。没有写发生在这个周期。
*F*
该
FF
标志停留在高阻抗的2 WCLK周期。
*G*
该
FF
标志更新，以显示D1 Q0的状态，它是不完整的，
FF
变高。
*H*
总之，西部数据被写入到D1的Q0 。这导致队列去充分，
FF
变低。
*I*
没有发生写入不管
文，
该
FF
标志LOW防止写入。该
FF
标志变为高电平，由于从D1对周期* CC Q0读* 。 （此读未启用的读，这是由于FWFT操作）。
*J*
队列中，装置2的Q2被选上的写端口。
*K*
该
FF
装置1的标志变为高阻抗，该设备被取消上写端口上周期* I * 。该
FF
设备2的标志变为低阻抗，并提供了D2的Q2的状态。
商业和工业
温度范围
图12.满标志时序扩展模式
