IS61LV12816
128K ×16高速CMOS静态RAM
采用3.3V电源
特点
高速存取时间： 10，12，和15纳秒
CMOS低功耗运行
TTL和CMOS兼容的接口电平
单3.3V ± 10 ％电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
工业应用温度
ISSI
描述
2003年2月
该
ISSI
IS61LV12816是一个高速， 2097152位静态
RAM （16位）组织为131,072字。据制作
运用
ISSI
的高性能CMOS技术。这
高度可靠的工艺加上创新的电路设计
技术，产量的存取时间快10纳秒的低
功耗。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
与CMOS输入电平降低下来。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供
和输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效
写使能（WE ）控制写入和读出的
内存。一个数据字节允许高字节（ UB ）和下
字节（ LB ）的访问。
该IS61LV12816打包在JEDEC标准44-
销400万SOJ ， 44引脚TSOP （ II型） ， 44引脚LQFP封装，并
48针Mini- BGA （ 6× 8毫米） 。
功能框图
A0-A16
解码器
128K ×16
存储阵列
V
DD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
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控制
电路
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版本C
02/05/2003
1
