ISL6612B ， ISL6613B
描述
1.5V<PWM<3.2V
PWM
1.0V<PWM<2.6V
t
PDHU
t
PDLU
t
PDTS
t
tSSHD
t
PDTS
UGATE
t
RU
t
FU
LGATE
t
FL
t
PDLL
t
PDHL
t
RL
t
tSSHD
图1.时序图
手术
专为通用性和速度， ISL6612B和
ISL6613B MOSFET驱动器同时控制高侧和低侧
从一个半桥式动力系的N沟道场效应晶体管
外部提供的PWM信号。
此前VCC超过其上电复位电平，预POR过
在初始启动电压保护功能被激活;该
上栅（ UGATE ）保持为低电平，下门（ LGATE ）
由预POR过压保护电路控制，是
连接到所述相位。一旦VCC电压超过了
VCC上升阈值（参见电气规范）时，PWM
信号取栅过渡控制。在PWM上升沿
启动关断下部MOSFET的（见时序
图）。经过短暂的传播延迟[T
PDLL
] ，下
门开始下降。典型下降时间[T
FL
]是在所提供的
电气规格部分。自适应贯通
电路监控相电压，并确定上
门延迟时间[T
PDHU
] 。这可以防止两下部和
同时导通的MOSFET上。一旦这个
延迟周期结束后，上部栅极驱动器开始上升
[t
RU
]和上MOSFET导通。
PWM的一个下降沿导致关断上的
MOSFET和导通的下MOSFET的。短
传播延迟[T
PDLU
]之前上遇到
门开始下降[T
FU
] 。同样，自适应贯通
电路确定的下门延迟时间t
PDHL
。该
相电压和UGATE电压监控，
下门被允许低于PHASE下降后上升
水平或UGATE对相位的电压达到平
根据电流方向（见下一节
详细说明） 。下门，然后上升[T
RL
] ，把在下部
MOSFET。
先进的自适应零贯通死区时间
控制（专利申请中）
这些驱动程序包含一个独特的自适应死区时间控制
技术以减少死区时间，从而导致高效率
从下MOSFET的的减少了随心所欲的时间
体二极管导通，并且防止上部和下部
MOSFET同时导通。这是
确保上升沿门完成打开它
MOSFET与后等具有最小和足够的延迟
关闭。
关断过程中的下MOSFET的，在相电压是
监视，直到它到达一个-0.2V / + 0.8V跳变点为一
正向/反向电流，此时UGATE被释放
上升。自动调零比较器用来校正第r
DS （ ON）
滴在相电压的误检预防
氧期间-0.2V相平
DS （上
导通时间。在该情况下
零电流，则UGATE的延迟为35ns之后发布
LGATE降至低于0.5V 。在相位检测的
LGATE的下降沿的PHASE节点上的扰动
空白，以防止误脱扣。一旦相位
高，先进的自适应直通电路监测
一个PWM下降沿时的相位和电压UGATE
和随后的UGATE关断。如果两个UGATE瀑布
至小于1.75V的相或相以上下降到少
高于+ 0.8V时， LGATE被释放以打开。
三态PWM输入
这些驱动程序和其他Intersil的驱动程序的一个独特功能是
增加了一个关闭窗口的PWM输入的。如果
PWM信号进入并保持在关闭窗口内
一组释抑时，驱动器输出被禁用，
这两个MOSFET的栅极被拉低并保持低电平。关闭
状态时，PWM信号以外的移动被去除
关闭窗口。否则，将PWM的上升沿和下降沿
确定当被启用的下部和上部栅极。
在电气特性概述门槛
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FN9205.3
2006年7月27日
