4兆位小部门的Flash
SST29SF040 / SST29VF040
数据表
产品订购信息
SST
29
XX
VF
040
XX XXXX
- 55
- XXX
-
-
4C
XX
-
NH
- XXX
E
X
环境属性
E =非铅
包修改
H = 32引脚或引线
套餐类型
N = PLCC
W = TSOP （类型1 ，死了，采用8mm x 14毫米）
温度范围
C =商业= 0 ° C至+ 70°C
I =工业= -40 ° C至+ 85°C
最低耐力
4 = 10,000次
读访问速度
55 = 55 ns的
70 = 70纳秒
器件密度
040 = 4兆位
功能
F =芯片级或扇区擦除
字节编程
电压
S = 4.5-5.5V
V = 2.7-3.6V
产品系列
29 =小扇区闪存（ 128字节）
有效组合SST29SF040
SST29SF040-55-4C-NH
SST29SF040-55-4C-NHE
SST29SF040-55-4I-NH
SST29SF040-55-4I-NHE
SST29SF040-55-4C-WH
SST29SF040-55-4C-WHE
SST29SF040-55-4I-WH
SST29SF040-55-4I-WHE
有效组合SST29VF040
SST29VF040-55-4C-NH
SST29VF040-55-4C-NHE
SST29VF040-70-4C-NH
SST29VF040-70-4C-NHE
SST29VF040-55-4I-NH
SST29VF040-55-4I-NHE
SST29VF040-70-4I-NH
SST29VF040-70-4I-NHE
SST29VF040-55-4C-WH
SST29VF040-55-4C-WHE
SST29VF040-70-4C-WH
SST29VF040-70-4C-WHE
SST29VF040-55-4I-WH
SST29VF040-55-4I-WHE
SST29VF040-70-4I-WH
SST29VF040-70-4I-WHE
注意：
有效组合是已量产或即将量产。请咨询您的SST销售
代表确认有效组合的可用性，并确定新组合的供应。
2004硅存储技术公司
S71160-10-000
2/04
20
