2兆位/ 4兆位小扇区闪存
SST29SF020 / SST29SF040
SST29VF020 / SST29VF040
数据表
VIHT
输入
VIT
参考点
VOT
产量
VILT
1160 F12.0
AC测试输入在V驱动
IHT
（ 3.0V）为逻辑“1 ”和第五
ILT
（0V）为一个逻辑“0”。对于输入的测量参考点
并输出为V
IT
(1.5 V
DD
）和V
OT
(1.5 V
DD
） 。输入上升和下降时间（ 10 ％
90 ％）为<10纳秒。
注意：
V
IT
- V
输入
TEST
V
OT
- V
产量
TEST
V
IHT
- V
输入
高测试
V
ILT
- V
输入
低测试
图13 ： AC输入/输出参考波形为SST29SF020 / 040
VIHT
输入
VIT
参考点
VOT
产量
VILT
1160 F12.0
AC测试输入在V驱动
IHT
(0.9 V
DD
）为一个逻辑“1”和第五
ILT
(0.1 V
DD
）为一个逻辑“0”。测量参考点
输入和输出是V
IT
(0.5 V
DD
）和V
OT
(0.5 V
DD
） 。输入上升和下降时间（ 10 ％
90％）是<5纳秒。
注意：
V
IT
- V
输入
TEST
V
OT
- V
产量
TEST
V
IHT
- V
输入
高测试
V
ILT
- V
输入
低测试
图14 ： AC输入/输出参考波形为SST29VF020 / 040
SST29SF040
VDD
TO测试仪
RL高
到DUT
CL
RL低
1160 F14a.0
SST29VF040
TO测试仪
到DUT
CL
1160 F14b.0
图15 ：测试负载的例子
2005硅存储技术公司
S71160-13-000
10/06
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