2兆位/ 4兆位小扇区闪存
SST29SF020 / SST29SF040
SST29VF020 / SST29VF040
数据表
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
6个WE ＃脉冲，而命令（ 20H ）被锁存，
第六WE ＃脉冲的上升沿。内部擦除
第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了
擦除操作可以通过数据＃确定
查询或翻转位的方法。对于时序波形，参见
图9.扇区擦除期间发出的任何命令
操作将被忽略。
芯片擦除操作
该SST29SF020 / 040和SST29VF020 / 040设备
提供一个片擦除操作，其允许用户
擦除整个存储器阵列的“1”状态。这是使用 -
FUL当整个装置必须迅速删除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
字节与软件数据保护指令序列
在过去的芯片擦除命令（ 10H ）地址为555H
字节序列。内部擦除操作开始
第六WE ＃或CE ＃上升沿，以先到为准
第一。在内部擦除操作，唯一有效的读
是翻转位或数据＃查询。请参阅表4的命令
序列，图10为时序图，以及图19
对于流程图。在芯片级时写入的任何命令
擦除操作将被忽略。
读
在SST29SF020的/读操作040和
SST29VF020 / 040设备通过CE＃和控制
OE＃ ，二者都为低电平的系统，以获得从数据
的输出。 CE＃用于器件选择。当CE＃为
高，芯片被取消选中，只有待机功耗所配置
SUMED 。 OE＃为输出控制，用于栅极的数据
从输出引脚。数据总线处于高阻
状态时，无论CE ＃或OE ＃为高电平。参考读
在图4中进一步的细节周期时序图。
字节编程操作
该SST29SF020 / 040和SST29VF020 / 040设备
被编程在逐字节的基础。编程前
明，其中存在的字节必须完全擦除扇区。
程序操作完成三个步骤。该
第一步是软件数据的3字节装入序列
保护。第二步骤是要加载的字节地址和
字节的数据。在字节编程操作，
地址锁存，无论是CE＃下降沿或
WE＃ ，最后的为准。该数据被锁存的利培
荷兰国际集团的CE＃或WE＃边沿，以先到为准。该
第三步是内部编程操作，这是initi-
后ated的第4个WE ＃或CE ＃ ，上升沿，而─
先出现。编程操作，一旦启动，将
完成，在20微秒。参见图5和6为WE＃
和CE ＃控制的编程操作时序图
图16为流程图。在程序操作
化，唯一有效的读操作是数据＃查询和翻转位。
在内部编程操作，主机可以自由地
执行其他任务。在写任何命令
内部编程操作将被忽略。
写操作状态检测
该SST29SF020 / 040和SST29VF020 / 040设备
提供了两种软件的手段来检测完成的
写（编程或擦除）循环中，为了优化
系统的写入周期时间。软件检测包含
两个状态位：数据＃查询（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
).
写操作结束检测模式的利培后启用
的WE＃的边沿启动内部程序或
擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是异步的
异步的与系统;因此，无论是数据＃ Poll-
荷兰国际集团或翻转位的读操作可以同时与
在写入周期中完成。如果出现这种情况，系统
可能得到一个错误的结果，即，有效数据可以
看来无论是与DQ发生冲突
7
或者DQ
6
。为了预
泄杂散抑制，如果一个错误的结果发生时，该
软件程序应包括循环读取
访问的位置的附加两（2）倍。如果两个
读数都是有效的，则该设备已完成写
周期，否则拒绝是有效的。
扇区擦除操作
扇区擦除操作可以使系统删除
设备上的一个扇区到扇区的基础。该SST29SF020 /
040和SST29VF020 / 040提供扇区擦除模式。该
扇区结构是基于128均匀扇区大小
字节。通过执行启动扇区擦除操作
与扇区擦除的COM一个6字节的命令序列
命令（ 20H）和扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。
扇区地址被锁存的下降沿
2005硅存储技术公司
S71160-13-000
10/06
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