TLV226x ， TLV226xA
高级LinCMOS轨至轨
运算放大器
SLOS186C - 1997年2月 - 修订2006年8月
应用信息
驱动大容性负载
该TLV226x设计用于驱动大电容负载比一般的CMOS运算放大器。图51
图52说明了它的驱动负载大于400 pF的能力，同时保持良好的增益和相位
利润率（R
零
= 0).
较小的串联电阻（R
零
）在该装置的输出（见图61），提高了增益和相位裕度
驱动较大的容性负载时。图51和图52示出加入的串联电阻的作用
10
,
20
,
50
,
100
.
加入这个串联电阻有两个作用：第一是，它增加了一个零
到的传递函数和所述第二是它减少了杆的与输出相关联的频率
装载中的传递函数。
引入到传输函数的零相等串联电阻倍的负载电容。对
计算中的相位裕度的提高，等式（1）可以使用。
θ
m1
+
黄褐色
–1
2
× π ×
UGB
W
×
R
零
×
C
L
(1)
其中：
θ
m1
+
改善相位裕度
UGBW
+
单位增益带宽频率
R
零
+
输出串联电阻
C
L
+
负载电容
单位增益带宽（ UGBW ）频率随容性负载的增加（见图53 ） 。对
使用公式1 ， UGBW必须从图53近似。
单独使用式（1）高估，如图59.在相位余量的改善
过度估计由与负载相关联的极点的频率的降低引起的，提供
附加相移和降低相位余量的整体改善。与负载相关联的极
是由式（2）中计算出的因子减小。
F
+
1
1
)
g
m
×
R
零
(2)
其中：
F
+
因数降低极点频率
g
m
+
小信号输出互导（通常4.83
×
10
– 3
姆欧）
R
零
+
输出串联电阻
为TLV226x ，与负载有关的极点通常是7兆赫的100pF的负载电容。此值
相反用C变化
L
：位于C
L
= 10 pF的，使用70 MHz时，位于C
L
= 1000pF的，用700千赫兹，等等。
减少了与负载关联的磁极引入相移，从而减少了相位余量。这导致
在预期由单独考虑到零（公式1）的增加相位裕度的误差。式（3）
近似中的相位裕度的减少，由于与负载相关联的杆的运动。该
该方程的结果可以从式（1）的结果中减去，以便更接近的改善
中的相位裕度。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
39
