TLV225x ， TLV225xA
高级LinCMOS轨至轨
非常低的功率运算放大器
SLOS185D - 1997年2月 - 修订2006年8月
典型特征
相位裕度
vs
负载电容
75°
TA = 25°C
60°
φ
米 - 相位裕度
om
Rnull = 200
Rnull = 500
15
增益裕度 - 分贝
45°
RNULL = 100
30°
RNULL = 50
Rnull = 10
50 k
增益裕度
vs
负载电容
20
Rnull = 500
Rnull = 200
10
RNULL = 100
RNULL = 50
Rnull = 10
5
15°
50 k
VI
VDD +
+
VDD }
RNULL
CL
RNULL = 0
0
101
RNULL = 0
TA = 25°C
10 4
10 4
10 2
10 3
CL - 负载电容 - pF的
10 5
0°
101
10 2
10 3
CL - 负载电容 - pF的
图56
图57
相位裕度的高估
vs
负载电容
25
TA = 25°C
Rnull = 500
相位裕度的高估
20
单位增益带宽
vs
负载电容
200
TA = 25°C
175
B1 - 单位增益带宽 - 千赫
150
125
100
75
50
25
0
101
15
RNULL = 100
10
RNULL = 50
Rnull = 10
5
Rnull = 200
10 2
10 3
10 4
CL - 负载电容 - pF的
10 5
10 2
10 3
10 4
CL - 负载电容 - pF的
参见应用信息
0
101
10 5
图58
图59
对于在VDD = 3 V ，所有负载都参考1.5 V.当VDD = 5 V ，所有负载都参考2.5 V.对于所有的曲线，所有曲线
在高温和低温下的数据只适用于各种设备的额定工作自由空气的温度范围。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
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