TPS799xx
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SBVS056G - 2005年1月 - 修订2006年8月
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可以是
更容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
订购信息
(1)
产品
TPS799xxyyyz
V
出（2）
XX
是标称输出电压（例如， 28 = 2.8V ， 285 = 2.85V ， 01 =调节） 。
(3)
YYY
是封装标识。
Z
是包的数量。
(1)
(2)
(3)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
输出电压在1.2V至4.5V的50mV的增量都可以通过使用创新的工厂EEPROM编程;
最小起订量，可申请。请与工厂联系了解详细信息和可用性。
对于固定的1.2V运作，领带FB至OUT 。
绝对最大额定值
在工作温度范围（除非另有说明）
(1)
参数
V
IN
范围
V
EN
范围
V
OUT
范围
峰值输出电流
连续总功率耗散
结温范围，T
J
存储结温范围，T
英镑
ESD额定值， HBM
ESD额定值，清洁发展机制
(1)
TPS799xx
-0.3到+7.0
-0.3到V
IN
+0.3
-0.3到V
IN
+0.3
内部限制
见耗散额定值表
-55到+150
-55到+150
2
500
°C
°C
kV
V
单位
V
V
V
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会
降低设备的可靠性。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
这些规定是不是暗示。
耗散额定值
板
低K
(1)
高K
(2)
低K
(1)
高K
(2)
低K
(1)
高K
(2)
(1)
(2)
包
DDC
DDC
YZU
YZU
DRV
DRV
R
θJC
90°C/W
90°C/W
27°C/W
27°C/W
20°C/W
20°C/W
R
θJA
280°C/W
200°C/W
255°C/W
190°C/W
140°C/W
65°C/W
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
3.6mW/°C
5.0mW/°C
3.9mW/°C
5.3mW/°C
7.1mW/°C
15.4mW/°C
T
A
< 25℃
360mW
500mW
390mW
530mW
715mW
1540mW
T
A
= 70°C
200mW
275mW
215mW
295mW
395mW
845mW
T
A
= 85°C
145mW
200mW
155mW
215mW
285mW
615mW
JEDEC的低K （ 1S）板用于导出这些数据是3英寸
×
3英寸，双层板，在电路板的顶部2盎司铜箔走线。
JEDEC的高K （ 2S2P ）板用于导出这些数据是3英寸
×
3英寸，多层板用1盎司的内部电源和地
飞机和2盎司铜迹线之上的董事会和底部。
2
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