TS8xC51Rx2
扩展存储器（ XRAM ）
该TS80C51Rx2提供随机确定访问内存（ RAM ）空间的额外字节
提高数据处理的参数和高级语言的使用。
RA2 ， RB2和RC2器件具有256字节扩展RAM ，从00H到FFH中
外部数据空间; RD2器件具有768字节扩展RAM ，从00H到2FFH
在外部数据空间。
该TS80C51Rx2具有映射为四个独立的内部数据存储器
段。
这四个扇形部分是：
1.低128字节的RAM（地址从00h到7F ）可直接或间接地
寻址。
2.高128字节的RAM （地址从80H到FFH ），间接寻址
只。
3.特殊功能寄存器，特殊功能寄存器（地址从80H到FFH ）直接
只有寻址。
4.扩展RAM可通过MOVX指令间接访问，
与EXTRAM位清零，在AUXR寄存器。 （见表5）。
低128字节可用直接或间接寻址方式访问。奕
128字节只能由间接寻址访问。高位128字节的RAM占用
在相同的地址空间的SFR 。这意味着它们具有相同的地址，但
物理上独立的SFR空间。
当一个指令访问高于地址7Fh的内部位置时， CPU知道
访问是由高128字节的数据RAM或SFR空间
寻址在指令中使用的模式。
使用直接寻址访问SFR空间的指令。
例如： MOV
0A0H ， ＃数据，
访问在位置0A0H的SFR （这是P2） 。
使用间接寻址访问高位128字节的数据RAM的指令。
例如： MOV @ R0 ， ＃数据
其中， R0内容为0A0H ，访问数据字节
在地址0A0H ，而不是为P2（地址为0A0H ） 。
256或768字节XRAM可以通过间接寻址访问，与EXTRAM
位清零， MOVX指令。这部分的存储器，它在物理上位于
片上，逻辑上占据了前256或768字节的外部数据存储器。
随着EXTRAM = 0时，XRAM进行间接寻址，用MOVX指令
与任何寄存器R0 ，所选择的银行或DPTR的R1 。
An
访问XRAM不会影响P0，P2口， P3.6 （ WR ）和P3.7 （ RD ） 。为
例如， EXTRAM = 0 ， MOVX @ R0 ， ＃数据
其中， R0内容为0A0H ，
访问XRAM地址为0A0H ，而不是外部存储器。到接入
比FFH （即0100H到FFFFH ） （高于高外部数据存储器位置
2FFH （即0300H到FFFFH的RD设备）将与MOVX DPTR进行
以同样的方式作为标准80C51指令，所以用P0和P2作为
数据/地址总线， P3.6和P3.7和作为写入和读出时序信号。请参阅
图4.对于研发设备，以访问扩展RAM从100H到2FFH只能
做由于使用DPTR的。
随着EXTRAM = 1 ， MOVX @RI和MOVX @DPTR将类似于标准
80C51 。 MOVX @日将提供复用的端口0的数据的8位的地址
和任何输出端口的引脚可以用于输出的高阶地址位。这是为了
提供外部分页功能。 MOVX @ DPTR将生成一个16位
地址。端口2输出的高阶8位地址（DPH的内容），而
端口0多路复用的低8位地址（ DPL）的数据。 MOVX @ RI和
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