M25P16
修订历史
13
修订历史
表23 。
日期
16-Jan-2002
文档修订历史记录
调整
0.1
变化
目标规范的书面文件
从深层进入待机功耗模式的说明澄清
掉电模式和终止的指令序列或数据 - 的，
失序。
ICC2 （最大）值更改为10μA
典型的页编程时间改善。写保护建立和保持时间
规定，对于开关写保护，退出硬件的应用
保护模式立即WRSR之前，并进入硬件
后保护模式又立即
MLP8包添加
50MHz的操作，并RDID指令增加。在内部发布，仅
加入8×6 MLP8和SO16 （ 300万美元）软件包
t
PP
, t
SE
和T
BE
修订。 SO16封装代码改变。输出时序
参考电压发生变化。文档晋升为初步数据。
表的内容，警告有关裸露焊盘上MLP8和无铅
选择添加。
的T值
VSL
（MIN）和叔
BE
（典型值）的变化。更改命名VDFPN8的
包。文件提升为全面数据。
MLP8 （ 5×6 ）包装中取出。焊接温度信息
明确了符合RoHS标准的设备。澄清设备等级
注1和2中删除
表22 ：订购信息计划。
小文的变化。
读取识别（ RDID ） ，深度掉电（ DP ）
和
从发行
深度掉电和阅读电子签名（ RES ）
说明，
和
有功功率，无备用电源和深度掉电模式
款澄清。
在更新的页面编程（ PP ）指令
页编程，页
方案（PP）的
和表15 ： AC特性（ 6级） 。
VFQFPN8包补充（见
图27 ： VFQFPN8 （ MLP8 ） 8引线很
超薄细间距四方扁平封装无铅， 6 × 5毫米封装外形
和
表17 ： VFQFPN8 （ MLP8 ） 8引线非常薄的细间距四方扁平封装
不含铅， 6 ×5毫米，包装机械的数据）。
所有封装均ECOPACK 。在“空白”选项去掉
电镀
技术。
加入SO8窄和宽SO8封装（见
第11节：包
机械） 。
VDFPN8包更新（见
表18 ： VDFPN8 （ MLP8 ）
8引脚非常薄双列扁平封装无铅， 8 ×6毫米封装
机械数据）。注1
加入
表22 ：订购信息
方案。
图4 ： Bus Master，和内存上的SPI总线器件
更新
注2
补充说。更新SO8N封装规格（请参阅
图29
和
表19 ） 。
小文的变化。
23-Apr-2002
0.4
13-Dec-2002
0.5
0.6
15-May-2003
0.7
20-Jun-2003
24-Sep-2003
0.8
1.0
24-Nov-2003
2.0
17-May-2004
3.0
01-Apr-2005
4.0
01-Aug-2005
5.0
20-Oct-2005
6.0
27-Feb-2006
7
04-Jul-2006
8
53/55
