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LP3999
应用提示
功耗和设备操作
允许的功耗对于任何包是
测量的装置的能力，以从通过热
电源时，IC的连接处，向最终热
下沉，周围环境。因此，功耗是
取决于环境温度和热
横跨模具之间的各种接口电阻
环境空气中。
再说明中给出的方程（注5）中的电
规格部分，将允许功耗为
设备在给定的包可以计算：
输出电容
该LP3999是专门设计具有非常小的工作
陶瓷输出电容器。陶瓷电容器（介
类型Z5U ， Y5V或X7R ）在1.0 [ 10 μF ]范围内，并与
5 mΩ至500 mΩ的ESR之间，适用于LP3999
应用电路。
此设备的输出电容应连接
在V之间
OUT
引脚和地。
它也可以是可使用钽或薄膜电容器在
该装置的输出信号V
OUT
的，但这些都不是对作为有吸引力的
尺寸和成本的原因（见节电容器字符
开创性意义） 。
输出电容必须满足的要求
电容的最小值并且还具有的ESR值
即范围为5毫欧至500毫欧稳定范围内。
空载稳定性
该LP3999将保持稳定和调控没有
外部负载。这是在一些重要的考虑因素
电路，例如CMOS RAM保持应用程序。
电容特性
该LP3999的设计与陶瓷电容的工作
的输出上，利用它们提供的优势。为
在1 μF至4.7 μF的范围内的电容值，陶瓷
电容器是最小的，最便宜的，并具有
最低的ESR值，从而使它们最适合消除
高频噪声。一个典型的1 μF陶瓷电容的ESR
电容器是在20毫欧至40毫欧，其容易
符合ESR要求稳定的LP3999 。
陶瓷电容器的温度特性变化
按类型。多数大型陶瓷电容（
≥
2.2 μF ）是
与Z5U或Y5V的温度特性制造，
这导致电容滴加由50％以上的
随着温度升高，从25℃到85℃。
在陶瓷的温度系数更好的选择
电容X7R 。这种类型的电容器是最稳定的
并保持内部的电容
±
在温度15 ％
TURE范围。钽电容比胶结不太理想
RAMIC用作输出电容器，因为它们更
比较等效电容和电压时，昂贵
年龄分级的1 μF至4.7 μF的范围。
另一个重要的考虑因素是，钽电容
具有较高的ESR值比同等大小的陶瓷。这
意味着，尽管它可能会找到一个钽
电容器的稳定范围内的ESR值，它会
必须在电容大的（这意味着更大的和
更昂贵的）比陶瓷电容器具有相同的ESR
值。还应当指出的是，一个典型的ESR的
钽会增加约2 ： 1 ，随着温度变
从25℃到-40℃ ，所以一些保护带必须是
允许的。
噪声旁路电容
旁路电容被连接到了C之间
逐
通
引脚和接地到显著降低噪音的
稳压器的输出。该器件的引脚直接连接到高
带隙基准电路中的阻抗节点。任何
显著加载此节点上会导致在发生变化
稳压输出电压。出于这个原因， DC泄漏电流
租用该引脚必须保持尽可能低的最好
输出电压精度。
使用0.01μF旁路电容的强烈recom-
修补，以防止过冲启动期间的输出。
与一位
θ
JA
= 255℃ / W ，该装置的micro SMD封装
返回的392毫瓦的值与最高结温
perature 125℃ 。
整个设备的实际功耗可REP-
反感由下面的等式：
P
D
= (V
IN
V
OUT
） ×1
OUT
.
这建立了功率耗散之间的关系
灰允许由于热的考虑，上的电压降
跨器件，以及连续电流能力
该设备。这两个方程应当用于确定
开采的最佳操作条件的装置，按
应用程序。
外部电容器
在与大多数监管机构的LP3999需要克斯特
最终电容，保证稳定运行。该LP3999是
专为需要迷你便携式应用而设计
妈妈的电路板空间和最小的部件。这些电容
器必须正确选择性能良好。
输入电容
输入电容器所需的稳定性。建议
一个1.0 μF的电容接在LP3999之间
输入引脚和地（此电容值可能是IN-
有折痕无极限） 。
这个电容器必须位于不大于一个距离
1厘米从输入引脚和返回到一个干净的类似物
地面上。任何优质陶瓷电容，钽，或薄膜电容器
也可以使用在输入端。
重要提示：
钽电容可以承受灾难性的故障 -
由于浪涌电流URES当连接到低
电源的阻抗源（如电池或一个非常大的
电容） 。如果钽电容器用于在输入端，它必须
由生产保证具有浪涌电流
等级足够的应用程序。
没有要求的
ESR
（等效串联
电阻）上的输入电容，但宽容和温
在选择的时候漂移系数必须考虑
电容器，以保证在电容将保持
1.0 μF以上
在整个工作温度范围内。
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