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LP3999
绝对最大额定值
（注3,4）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
输入电压（V
IN
)
输出电压
使能输入电压
结温
铅/盘温度
（注5 ）
的microSMD
储存温度
连续功率耗散
（注6 ）
ESD （注9 ）
260C
-65到+ 150°C
内部限制
-0.3 6.5V
-0.3 （V
IN
+ 0.3V)
至6.5V （最大值）
-0.3 6.5V
150C
人体模型
机器型号
2千伏
200V
工作额定值
（注3）
输入电压（V
IN
)
使能输入电压
结温
环境温度范围
（注7 ）
2.5至6.0V
0至6.0V
-40至+ 125°C
-40到85°C
热性能
（注8）
结到环境的热
阻力
θ
JA
（微型SMD PKG ）。
255C/W
电气特性
除非另有说明，V
EN
= 1.5, V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1.0V ，C
IN
= 1 μF ，我
OUT
= 1毫安，C
OUT
= 1 μF ，C
BP
= 0.01 μF 。典型
价值观和限制出现在普通型适用于对于T
J
= 25℃。出现在极限
粗体
则适用于全温度
TURE范围内操作， -40 + 125℃ 。 （注13 ， 14 ）
符号
V
IN
V
OUT
参数
输入电压
输出电压容差
线路调整错误
负载调节误差
PSRR
电源抑制比
（注11 ）
输出电压容差
线路调整错误
负载调节误差
PSRR
电源抑制比
（注11 ）
输出电压容差
线路调整错误
负载调节误差
V
DO
PSRR
输入输出电压差
电源抑制比
（注11 ）
负载电流
I
OUT
= 1毫安
V
IN
= (V
OUT （ NOM ）
+ 1.0V ）至6.0V ，
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1 mA至150毫安
F = 1千赫，我
OUT
= 1毫安
F = 10 kHz时，我
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1毫安
V
IN
= (V
OUT （ NOM ）
+ 1.0V ）至6.0V ，
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1 mA至150毫安
F = 1千赫，我
OUT
= 1毫安
F = 10 kHz时，我
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1毫安
V
IN
= (V
OUT （ NOM ）
+ 1.0V ）至6.0V ，
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1 mA至150毫安
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 150毫安
F = 1千赫，我
OUT
= 1毫安
F = 10 kHz时，我
OUT
= 1毫安
（备注10，11 ）
4
条件
典型
极限
民
2.5
50
-75
3.5
最大
6.0
50
75
3.5
75
单位
V
器件输出： 1.5
≤
V
OUT
＆ LT ;
1.8V
mV
mV / V的
μV / MA
dB
10
58
58
-50
75
2.5
10
60
60
-2
3
0.1
0.0004
0.4
60
60
50
0
器件输出： 1.8
≤
V
OUT
＆ LT ;
2.5V
V
OUT
50
75
2.5
75
mV
mV / V的
μV / MA
dB
器件输出： 2.5
≤
V
OUT
≤
3.3V
V
OUT
2
3
0.1
0.002
2
100
％的
V
OUT （ NOM ）
%/V
％ / mA的
mV
dB
全V
OUT
范围
I
负载
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A
