位置：首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第0页 > LM3S6938-IQC20-A0 > LM3S6938-IQC20-A0 PDF资料 > LM3S6938-IQC20-A0 PDF资料2第478页
电气特性
参数名称参数
I
OH
高层次的电源电流，V
OH
=2.4 V
2 -mA驱动
4 -mA驱动
8 -mA驱动
I
OL
低层次的灌电流，V
OL
=0.4 V
2 -mA驱动
4 -mA驱动
8 -mA驱动
民
喃
最大
单位
2.0
4.0
8.0
-
-
-
-
-
-
mA
mA
mA
2.0
4.0
8.0
-
-
-
-
-
-
mA
mA
mA
21.1.3
片内低压差（ LDO ）稳压器特性
表21-3 。 LDO稳压器特性
参数名称参数
V
LDOOUT
t
PON
t
ON
t
关闭
V
步
C
LDO
最小值标称值最大值单位
V
%
s
s
s
mV
F
可编程的内部（逻辑）电源输出值2.25 2.5 2.75
输出电压精度
上电时间
时间ON
时间关
步编程电压增量
外部滤波电容的大小为内部电源
-
-
-
-
-
1.0
2%
-
-
-
50
-
-
100
200
100
-
3.0
21.1.4
电源规格
在下面的表格中所指定的功率测量核心处理器上使用运行
SRAM具有以下规格（特别注明的除外） ：
■
V
DD
= 3.3 V
■
V
DD25
= 2.50 V
■
V
BAT
= 3.0 V
■
V
DDA
= 3.3 V
■
V
DDPHY
= 3.3 V
■
温度为25℃
■
时钟源（ MOSC ） = 3.579545 MHz晶体振荡器
■
主振荡器（ MOSC ） =启用
■
内部振荡器（ IOSC ） =禁用
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初步
2007年10月8日
