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结构概述
介绍
bit-banding的
技术在新的Cortex-M3处理器。在使能bit -band的
处理器中，存储器映射的特定区域（SRAM和外设空间）能够使用地址
别名来访问在一个单个的原子操作各个位。
1.4.6.2
闪光灯（第96页上的第7.2.2节）
该LM3S328闪存控制器支持16 KB的Flash存储器。闪光灯被组织为一组的
1 KB的块可以被单独擦除。擦除一个区块导致的全部内容
块被重置为全1 。这些区块配对成一组2 - KB块可单独
受保护的。这些块可以被标记为只读或只执行，以提供不同级别的
代码保护功能。只读块不能被擦除或编程，以保护内容
被修改的那些块。只执行块不能被擦除或者编程，而且可以
只能通过控制器指令获取机制来读取，这可以保护区块的内容
从由控制器或者由调试器读取。
1.4.7
1.4.7.1
附加功能
内存映射（第39页上的第3节）
存储器映射列出的在存储器中的指令和数据的位置。的存储器映射的
LM3S328控制器可以在第39页的注册地址找到给出一个十六进制
增量，相对于所述模块的基地址，在存储器映射中，如图所示。
该
ARM Cortex-M3技术参考手册
提供了关于存储器的进一步信息
地图。
1.4.7.2
JTAG TAP控制器（第44页上的第5章）
联合测试行动组（JTAG）端口提供一个标准化的串行接口，用于控制所述
测试访问端口（TAP ）和相关的测试逻辑。在TAP ， JTAG指令寄存器和JTAG
数据寄存器可以用来测试组合印刷电路板的互连，获得
组件的制造信息，并观察和/或控制的输入和输出
正常运转时的控制器。 JTAG端口提供了可测性高，并
以低成本芯片级别的访问。
JTAG端口由5个标准的引脚：
TRST ， TCK ， TMS ， TDI ，
和
TDO 。
数据
串行地发送到控制器上的
TDI
和移出控制器上
TDO 。
解释
这个数据是取决于TAP控制器的当前状态。有关的详细信息。
JTAG端口和TAP控制器的操作，请参考
IEEE标准1149.1-测试
访问端口和边界扫描结构。
Luminary Micro JTAG控制器是与内置到Cortex -M3内核的ARM JTAG控制器。这是
通过复用的实现
TDO
这两个JTAG控制器的输出。 ARM JTAG指令
选择ARM
TDO
输出，而LMI JTAG指令选择LMI
TDO
输出。该
多路复用器由Luminary Micro JTAG控制器，它具有综合编程控制
对ARM， Luminary Micro和未执行的JTAG指令。
1.4.7.3
系统控制和时钟（第54页上的第6章）
系统控制决定了设备的整体操作。它提供有关信息
设备，控制器件和各个外设的时钟，并处理复位的检测
和报告。
1.4.8
硬件细节
上管脚和封装的细节可以在下面的章节中找到：
340页的第15条， “引脚图”
341页的第16条， “信号表”
28
初步
2007年4月27日
