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MBM29PL32TM/BM
90/10
写入（擦除/编程）操作
参数
写周期时间
地址建立时间
地址建立时间OE低在
触发位投票
地址保持时间
地址保持时间从CE或OE高
在触发位投票
数据建立时间
数据保持时间
OE建立时间
CE在高切换位投票
OE高时触发位投票
阅读恢复时间之前写
（ OE高到WE低）
阅读恢复时间之前写
（ OE高到CE低）
CE建立时间
我们建立时间
CE保持时间
我们认为时间
CE脉冲宽度
把脉冲宽度
CE脉冲宽高
写脉冲宽高
有效页
编程时间
每字
（写缓冲区编程）
编程时间
扇区擦除操作*
1
V
CC
建立时间
从RY / BY恢复时间
擦除/编程有效期至RY / BY延迟
上升时间到V
ID
*
2
上升时间到V
加
*
3
电压转换时间*
2
字
t
WHWH2
—
—
—
—
—
—
t
WHWH2
t
VCS
t
PB
t
忙
t
VIDR
t
VACCR
t
VLHT
符号
JEDEC标准
t
AVAV
t
AVWL
—
t
WLAX
—
t
DVWH
t
WHDX
—
—
—
t
GHWL
t
GHEL
t
ELWL
t
WLEL
t
WHEH
t
EHWH
t
ELEH
t
WLWH
t
EHEL
t
WHWL
t
WC
t
AS
t
ASO
t
AH
t
AHT
t
DS
t
DH
t
OES
t
CEPH
t
OEPH
t
GHWL
t
GHEL
t
CS
t
WS
t
CH
t
WH
t
CP
t
WP
t
CPH
t
WPH
民
90
0
15
45
0
35
0
0
20
20
0
0
0
0
0
0
35
35
25
30
50
0
500
500
4
价值
90
典型值
23.5
100
1.0
最大
90
民
100
0
15
45
0
35
0
0
20
20
0
0
0
0
0
0
35
35
25
30
50
0
500
500
4
23.5
100
1.0
90
10
典型值
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
s
s
ns
ns
ns
ns
s
单位
t
WHWH1
t
WHWH1
（续）
40
