8XC196MH工业电机控制CHMOS单片机
表17. 10位模式下的A / D特性在额定工作条件（ 1 ） （续）
参数
温度系数：
OFFSET
满量程
微分非线性
关断隔离
穿心
V
CC
电源抑制
输入串联电阻
在模拟输入引脚电压
采样电容
DC输入漏
3
±
1.0
0
±
3
– 60
– 60
750
ANGND - 0.5
1.2K
V
REF
+ 0.5
典型的（ 3 ）
0.009
0.009
0.009
– 60
民
最大
单元（2）
LSB / C
LSB / C
LSB / C
dB
dB
dB
笔记
4, 5
4
6
4
7, 8
V
pF
A
注意事项：
1.测试与V进行
REF
= 5.12 V和F
OSC
= 16兆赫。
2.
LSB ，
如这里使用的，具有大约5毫伏的值。
3.典型的值是根据样本的数量有限，并不能保证。工作条件
为典型值是室温和V
REF
= V
CC
= 5.5 V.
4.直流至100千赫。
5.多路先开后合作保证。
从器件的引脚6电阻，通过内部多路复用器，采样电容。
7.这些值可能会超过如果引脚的电流被限制在± 2毫安。
8.应用电压超出这些规范将降低其他渠道是CON-的准确性
verted 。
9.所有的转换进行与处理器处于空闲模式。
表18. 8位A / D工作条件（ 1 ）
符号
T
A
v
CC
v
REF
T
SAM
T
CONV
F
OSC
描述
环境温度
数字电源电压
模拟电源电压
采样时间
转换时间
振荡器频率
民
– 40
4.50
4.50
1.0
7.0
8
20.0
16
最大
+ 85
5.50
5.50
单位
笔记
°
C
V
V
s
s
2
3
3
兆赫
注意事项：
1. ANGND和V
SS
应名义上是在相同的电位。
2. V
REF
一定不能超过V
CC
超过+ 0.5 V，因为V
REF
提供两个梯形电阻和
的转换器和输入端口引脚模拟部分。
3.程序的AD_TIME注册见面的T
SAM
和T
CONV
特定连接的阳离子。
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