数据表

齐纳二极管

RD2.0E到RD200E

500毫瓦DHD稳压二极管

(DO-35)

描述

NEC类型RD2.0E到RD200E系列是平面型齐纳二极管的

流行的DO- 35封装， DHD （双散热片二极管）建设

具有500毫瓦的允许功耗。为了满足各种应用

在客户，V

z

（齐纳电压）被分类成下紧公差

具体的后缀（B， B1到B7）。

包装尺寸

（单位：毫米）

φ

0.5

25分钟。

阴极

迹象

DHD （双散热片二极管）建设

V

z

：应用E24标准（ RD130E到RD200E ： 10伏步骤）

DO- 35玻璃密封包装

φ

2.0 MAX 。

25分钟。

订购信息

RD2.0 E至RD39E带后缀“B1” ， “B2” ， “B3” ， “ B4 ”，“ B5 ”，“ B6 ”或“ B7 ”

应适用于订单后缀“B”。

应用

电路的恒定电压，恒定电流，波形限幅器，电涌吸收器等。

绝对最大额定值（T

A

= 25 C)

正向电流

功耗

浪涌反向功率

结温

储存温度

I

F

P

P

RSM

T

j

T

英镑

200毫安

500毫瓦

100 W（ T = 10

s)

175 C

-65到+175 C

到参照图17

一号文件D10213EJ5V0DS00 （第5版）

发布日期1998年12月 CP （ K）

日本印刷

4.2分钟。

特点

1981