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A42
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE(1)
除非
TEST
否则
条件
特定网络版)
310
305
5
0.25
0.1
60
100
60
0.2
0.9
50
V
V
兆赫
200
最大
单位
V
V
V
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
IC = 100
A,I
E
=0
IC = 1 mA时,我
B
=0
I
E
= 100
A,I
C
=0
V
CB
= 200V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 10V ,我
C
= 1毫安
V
CE
= 10V ,我
C
=10mA
V
CE
= 10V ,我
C
=30mA
I
C
= 20 mA时,我
B
= 2毫安
I
C
= 20 mA时,我
B
=2mA
V
CE
= 20V ,我
C
= 10毫安
A
A
直流电流增益
H
FE(2)
H
FE(3)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
f
T
f=
30MHz
A92
电气特性(环境温度Tamb = 25 ℃
参数
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE(1)
除非
TEST
否则
特定网络版)
-300
-300
-5
-0.25
-0.1
60
100
60
-0.2
-0.9
50
V
V
兆赫
200
最大
单位
V
V
V
条件
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
IC = -100
A,I
E
=0
IC = -1mA ,我
B
=0
I
E
= -100
A,I
C
=0
V
CB
= -200V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -10V ,我
C
= -1mA
V
CE
= -10V ,我
C
=-10mA
V
CE
= -10V ,我
C
=-30mA
I
C
= -20毫安,我
B
= -2mA
I
C
= -20毫安,我
B
= -2mA
V
CE
= -20V ,我
C
= -10mA
A
A
直流电流增益
H
FE(2)
H
FE(3)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
f
T
f=
30MHz

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