FM50
产品speci fi cation
典型性能特性
4.0
3.0
2.0
上规格限
V
DD
= +5V
精度（ ° C）
1.0
0.0
-1.0
-2.0
-3.0
低规格限制
-4.0
-50
0
50
100
150
温度（℃）
图1.准确度与温度的关系
从5V VOUT值偏差（MV ）
140.0
120.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
-1.0
2.5
电源电流（ UA）
100.0
80.0
60.0
40.0
20.0
0.0
-50
-30
-10
10
30
50
70
90
110
130
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
温度（℃）
VDD电压
图2.典型IDD与温度
图3.典型灵敏度为电源电压
描述
内的FM50是一个热二极管，校准电路
和放大器器。由于FM50是在33°校准C，
以mV为单位的额定输出为：
V
OUT
=
830
+
10
(
T
–
33
)
这些值适应特定网络版精度在-40 ，
25 + 125°C 。
在FM50的输出结构是一个N沟道CMOS晶体管
器驱动p沟道负载。可用电流典型值为50
微安到地。串联电阻通常为7
充电
和2千
通过从连接的电容器放电
V
OUT
到地面。
下列应用功率至V
DD
, V
OUT
准确
以下的大约80毫秒的延迟。
其中T是表示℃，热结点温度。
在33℃时，公差如下：
1.
2.
偏移量为± 3mV的
坡， ± 0.3mV / ℃，
4
REV 。 1.1.0 04年10月5日
