RF5163
该RF5163一直主要特点与V的电压
REG1
和V
REG2
为+ 3.0V
DC
。然而， RF5163将
从大范围的控制电压下工作。如果使用不同的控制电压需要，请联系RFMD销售或应用程序
系统蒸发散工额外的数据和指导。
RF5163PCBA -WD评估板：
该RF5163PCBA -WD评估板的开发是为了帮助RF5163的潜在客户提供一个COM
pletely表征介质结合了高线性驱动放大器级高功率放大器的解决方案。在应用程序
要求20dB以上，以22分贝放大级的增益阳离子，在RF5163PCBA -WD评估板设计可能是
为实现更高的增益结合超线性射频功率输出为高的峰均功率比的应用程序
阳离子（例如，正交频分复用（OFDM ）调制）。
下面的图1示出了主要部件阵容为超线性定应用（例如，接入点（AP） ）反
米特能够产生+ 26dBm的RF P的
OUT
与放大器级（驱动器+最后阶段功放IC ， RF2373 +
< 2.5 ％ EVM的RF5163 ） EVM的贡献， RMS （平均值） 。
天线
最大总发射EVM （ RMS ，平均值） @ 54Mbps的：
RF噘= + 26dBm的发射与'链' EVM < 3.8 ％
RFMD RF2959
WLAN "g"
Transciever IC
RFMD RF5163
PA IC
G=20dB
在RF = + 6dBm的; RF输出= + 26dBm的
EVM < 2.0 ％
Vcc=+5Vdc
RFMD RF2373
驱动放大器
G=15dB
在RF = -9dBm ; RF输出= + 6dBm的
EVM < 1 ％
VCC = + 5VDC
OFDM
(IEEE802.11g/n)
MAC + BBP IC
VCC = 3伏直流
RF输出= -9dBm
@54Mbps
EVM < 3 ％
ETHERNET
处理器
PA舞台EVM贡献
<2.5 ％@ + 26dBm的RF噘
图1的IEEE802.11g / N AP发射器的构成要件阵容
转A12 061114
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