RF5110G
评估板电路图
GSM850集总元件
J3
VAPC
50
Ω μstrip
VCC
VCC
P1
P1-1
P1-2
C18
3.3
μF
VCC1
C2
10 nF的
C3
1 nF的
C19
27 pF的
L1
11 nH的
C17
10 nF的
16
1
2
3
R1
180
Ω
4
5
L2
10
Ω
铁素体
VCC2
+ C21
3.3
μF
C5
10 nF的
C6
1 nF的
C20
13 pF的
C7
33 pF的
L6
1.6 nH的
6
7
8
C9和C10份额
同样垫。
P2
VCC
VCC
GND
GND
P2-1
1
2
3
CON3
VAPC
GND
GND
1
2
3
4
CON4
VAPC
C16
10 nF的
15
14
13
C15
33 pF的
12
11
10
9
L3
8.8 NH
60密耳
C14
33 pF的
L4
1.8 nH的
65密尔
40密耳
+
C13
1 nF的
J1
在RF
50
Ω μstrip
C1
56 pF的
C12
56 pF的
C11
9.1 pF的
50
Ω μstrip
J2
RF OUT
C9
15 pF的
C10
2 pF的
C8
1.5 pF的
转A4 DS071026
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
13 22
