PD - 95040
IRFI3205PbF
先进的工艺技术
l
超低导通电阻
l
独立包装
l
高电压隔离= 2.5KVRMS
l
沉铅爬DIST 。 = 4.8毫米
l
全额定雪崩
l
LEAD -FREE
描述
l
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
= 55V
R
DS （ ON）
= 0.008
G
S
I
D
= 64A
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET
是众所周知的，为设计者提供了一个非常
高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用
应用程序。
该TO- 220 FULLPAK无需额外
绝缘硬件在商业工业应用。
所使用的模制化合物提供了一种高隔离
能力和标签之间的低热阻
和外部散热器。这种隔离是相当于使用
一个100微米云母屏障与标准的TO-220的产品。
该FULLPAK使用单个夹子安装在散热器或
通过单螺杆固定。
的TO-220 FULLP
AK
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
马克斯。
64
45
390
63
0.42
± 20
480
59
6.3
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境
典型值。
马克斯。
2.4
65
单位
° C / W
° C / W
2/24/04
