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AT45DB081D
25.自动页重写流程图
图25-1 。
算法编程整个数组依次或重新编程
开始
提供地址
与数据
卜FF器
写
(84H, 87H)
主存储器页编程
通过缓存
(82H, 85H)
缓冲区主
存储器页编程
(83H, 86H)
结束
注意事项：
1.此类型的算法被用于应用中，整个阵列编程顺序，填充阵列页逐
页。
2.一个网页，可以使用一个主存储器页编程操作或写缓冲区
写
操作和随后的一个缓冲
主存储器页编程操作。
3.上面的算法示出了单个页面的编程。该算法将重复顺序地对每一页
整个阵列内。
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3596E–DFLASH–02/07
