AT45DB041B
12.写操作
下面的框图和波形说明各种写入序列可用。
闪存阵列
PAGE （ 256字节）
BUFFER 1 TO
页编程
页编程
通过缓存2
BUFFER 2 TO
页编程
缓冲器1 （ 256字节）
缓冲1
写
页编程
通过缓存1
缓冲存储器2 （256字节）
缓冲区2
写
I / O接口
SI
12.1
通过缓冲器主存储器页编程
·完成写入缓冲区选择
·启动自定时擦除/编程操作
CS
SI
CMD
R R R R ， PA10-7
PA6-0 ， BFA8
BFA7-0
n
n+1
最后字节
12.2
缓冲区写
·完成写入缓冲区选择
CS
SI
CMD
X
X ... X， BFA8
BFA7-0
n
n+1
最后字节
12.3
缓冲区到主存储器页编程（数据从缓冲区烧写到Flash首页）
启动自定时擦除/编程操作
CS
SI
CMD
R R R R ， PA10-7
PA6-0 ，X
X
每个代表转型
8位和8个时钟周期
N = 1个字节的读
N + 1 = 2个字节的读
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3443C–DFLSH–5/05
