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AT45DB011D [初步]
达到，该设备将继续读回在同一页的开头。低到高
CS引脚转换将终止读操作和三态输出引脚（ SO ） 。该
最大SCK频率允许的主存储器页读是由F定义
SCK
规范。主存储器页读绕过数据缓冲区和叶中的内容
缓冲区不变。
6.5
缓冲区读
SRAM的数据缓冲器可以独立地从主存储器阵列进行访问，并utiliz-
荷兰国际集团的缓冲器读指令允许数据被顺序地直接从缓冲器读出。两
操作码， D4H或D1H ，可用于缓冲读命令。利用每一个操作码
取决于最大SCK的频率，将用于对从所述缓冲器中读取数据。该
D4H操作码可以用在任何SCK频率高达为f指定的最大值
CAR1
。该D1H
操作码可以用于较低频率的读操作到最大指定为f
CAR2
.
执行从数据闪存的标准缓冲液（ 264字节）读缓冲器，操作码必须是
移入器件后跟三个地址字节由15无关位和
9缓冲区地址位（ BFA8 - BFA0 ） 。执行从二进制缓冲器（256字节）读缓冲器，
操作码必须移入器件后跟三个地址字节由
16不关心位和8缓冲区地址位（ BFA7 - BFA0 ） 。下面的地址字节，1
不在乎字节的时钟必须在初始化读操作。 CS引脚必须保持为低电平
操作码，地址字节，不在乎字节加载，以及在读期间
数据。当达到缓冲器的末端，所述装置将继续读回的开头
的缓冲液中。在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态
输出引脚（SO ） 。
7.编程和擦除命令
7.1
缓冲区写
数据可以从输入引脚（ SI）的进入缓冲器被移入。将数据加载到数据闪存
标准缓冲液（ 264字节）， 1字节的操作码， 84H ，必须移入器件之后
3个地址字节组成的15无关位和第9缓冲区地址位（ BFA8 - BFA0 ） 。
9缓冲器地址位用于指定要被写入在缓冲器中的第一个字节。将数据加载到
二进制缓存（每个256字节）， 1字节的操作码， 84H ，必须移入器件其次
通过三个地址字节由16无关位和8个缓冲区地址位（ BFA7 - BFA0 ） 。
8缓冲器地址位用于指定要被写入在缓冲器中的第一个字节。的最后一个地址后
字节被移入器件，数据就可以在随后的时钟周期移入。
如果数据缓冲区的末尾为止，该装置将绕回的开头
缓冲区。数据将继续被加载到缓冲器中，直到一个低到高的跳变被检测到上
CS引脚。
7.2
缓冲区到主存储器页编程带内置擦除
写入到缓冲器的数据可被编程到主存储器中。 1个字节的操作码， 83H ，
必须移入器件。用于数据闪存标准页面大小（ 264字节），操作码
必须遵循的三个地址字节包括5不在意位，第9页地址位
（ PA8 - PA0 ） ，在所述主存储器中指定的页面被写入和9无关位。为按照
形成缓冲到主存储器页编程带内置擦除的二进制页面大小（256
字节） ，操作码83H必须移入器件后跟三个地址字节consist-
ING 7不在意位，第9页地址位（ A16 - A8） ，在主内存中指定的页面
写入和8不在乎位。当低到高的转变发生在CS引脚，部分
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