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AT45DB011D [初步]
25.自动页重写流程图
图25-1 。
算法编程整个数组依次或重新编程
开始
提供地址
与数据
卜FF器
写
(84H)
主存储器页编程
通过缓存
(82H)
缓冲区主
存储器页编程
(83H)
结束
注意事项：
1.此类型的算法被用于应用中，整个阵列编程顺序，填充阵列页逐
页。
2.一个页面可以使用一个主存储器页编程操作或一个缓冲器写操作和随后的一个缓冲器被写入
主存储器页编程操作。
3.上面的算法示出了单个页面的编程。该算法将重复顺序地对每一页
整个阵列内。
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3639B–DFLASH–02/07
