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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第93页 > AT45DB011D-MU > AT45DB011D-MU PDF资料 > AT45DB011D-MU PDF资料1第34页
表18-4 。
符号
f
SCK
f
CAR1
f
CAR2
t
WH
t
WL
t
SCKR(1)
t
SCKF(1)
t
CS
t
CSS
t
CSH
t
SU
t
H
t
HO
t
DIS
t
V
t
WPE
t
WPD
t
EDPD
t
rdpd命令
t
XFR
t
COMP
t
EP
t
P
t
PE
t
BE
t
SE
t
CE
t
RST
t
REC
交流特性 - 急流/串行接口
参数
SCK频率
SCK频率连续阵列读
SCK频率连续阵列读取(低频)
SCK高时间
SCK低电平时间
SCK的上升时间,峰 - 峰(转换速率)
SCK的下降时间,峰值到峰值(转换速率)
最低CS高时间
CS建立时间
CS保持时间
数据建立时间
数据保持时间
输出保持时间
输出禁止时间
输出有效
WP低到启用保护
WP高保护无效
CS高到深度掉电模式
CS高到待机模式
页面缓冲传输时间
页面缓冲的时间比较
页擦除和编程时间( 264分之256字节)
页编程时间( 264分之256字节)
页擦除时间( 264分之256字节)
块擦除时间(2048 / 2112字节)
扇区擦除时间( 32,768 / 33,792字节)
芯片擦除时间
复位脉冲宽度
复位恢复时间
10
1
14
2
13
15
0.8
待定
6.8
6.8
0.1
0.1
50
5
5
2
3
0
6
6
1
1
3
30
400
400
35
4
32
35
2.5
待定
典型值
最大
66
66
33
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
V / ns的
V / ns的
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
s
s
s
s
ms
ms
ms
ms
s
s
s
s
34
AT45DB011D [初步]
3639B–DFLASH–02/07

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