AT24C16B初步
设备
地址
16K的EEPROM器件需要
一个8位
设备
地址
字以下
a
启动条件
使芯片
a
读或写操作（参见图7）。
设备
地址
字由
a
强制性的，零序的前四个最
显著
比特
如图所示。这是常见的
所有
在EEPROM器件。
下一个
3位
用于存储网页
寻址和被
最显着的
位
数据
字
地址
它遵循。
第八
位
该装置的
地址
在读/写操作选择
位。
读操作
如果启动
位
是高
AND A
如果这是启动的写入操作
位
是低的。
上
a
比较该装置的
地址
在EEPROM将输出
a
零。如果
a
比较不
制成，该芯片将返回到
a
待机状态。
写
操作
写字节：
写操作需要
一个8位
数据字
地址
该设备以下
地址
字
和确认。
在收到这个
地址
EEPROM中会
再次
与应对
a
零
和
然后时钟中的第一个
8-bit
数据字。在收到的
8-bit
数据字时， EEPROM将输出
a
零
和
该
地址
装置，例如
作为
microcontrol-
LER ，必须终止与写序列
a
停止条件。此时EEPROM进入
an
内部定时写周期，T
WR
到非易失性存储器。所有输入
是
期间禁用
这个写周期
和
该EEPROM不会响应，直到写操作完成（见图
8
on
第11页） 。
页写：
16K的EEPROM能
an
16字节页写。
一个页面写入启动相同
作为一个字节
写，
但
单片机不发
a
停止
条件
后
第一个数据字被时钟，而是
后
该EEPROM
承认
收到第一个数据字，微控制器可以传输多达15个数据字。该
EEPROM将响应
a
零
后
收到的每个数据字。单片机必须三 -
minate与页写操作
a
停止条件（见图9第11页） 。
数据字
地址
下三
位
在内部增加每接收一组的
数据字。更高的数据字
地址位是
不递增，保持存储器的页
行位置。当字
地址
内部产生，达到页
边界，
该
以下
字节
放置
at
该
开始
在同一页的。如果超过16个数据字
是
传递到EEPROM中，数据字
地址
将“翻身”
和
以前的数据将会
be
覆盖。
确认查询：
一旦内部定时写周期已经开始
和
该
EEPROM输入
是
禁用，
应答
投票可
be
发起。这包括发送
a
起始条件
by
设备
地址
字。读/写
位
具有代表性的
操作所需。只有当内部写周期结束， EEPROM的回应
同
a
零
允许
在读取或写入顺序继续。
读
操作
读操作
是
开始以相同的方式
as
不同之处在于所述的写操作
读/写选择
位
在该装置
地址
字设置为1 。那里
是
三种读操作：
当前
地址
读取，随机
地址
读
和
顺序读。
当前地址读：
内部数据字
地址
计数器保留最后
地址进行访问
在最后一次读或写操作时，加
by
1 。这
地址
保持有效
间
操作
as
长
as
该芯片的功率保持不变。该
地址
（滚
以上“中读出的是从最后
字节
最后的存储器页面，在第一
字节
第一页的。
该
地址
“翻身”期间写是从上
字节
当前页面的第一
字节
of
同一页面。
9
5175A–SEEPR–09/06
