TISP4xxxJ1BJ过电压保护器系列
应用信息
Y形结构设计
这种保护配置具有保护三种模式。给小费端子对保护环是由串联组合定
保护TH1A和TH1B ，见图11.端子对保护电压将是V形的总和
（BO）
，击穿电压TH1A和时，
V
（BO）
的TH1B 。保护TH1A和TH1B是相同的设备类型和端子对保护电压将是2 V
(BO)1
。一端子对
保护电压
±400
五， TH1A和TH1B会有V
(BO)1
=
±400/2
=
±200
V.
同样，对于其他终端对，圈接地保护是由TH1B和Th2的串联组合和终端对给定的
保护电压为V
(BO)1
+ V
(BO)2
。 TIP接地保护电压也将是V
(BO)1
+ V
(BO)2
.
裁剪可能会出现前的最大终端对电压保护器V的总和
DRM
，断态电压，见图12。环
提示这将是2 V
DRM1
。该
±200
V V
(BO)1
前面的例子中的保护器具有V
DRM
of
±155
V，给人一种最大非削波信号
电压
±310
五，对于环地面，提示要接地端子对，最大非削波信号电压为V
DRM1
+ V
DRM2
.
在纵向浪涌条件下，线路导线的电流准的时候，我
环
我
TIP
，都是平等的， Th2细胞，接地回路
保护，携带TH1A和TH1B电流的总和，见图13。 Th2细胞的电流额定值必须两倍TH1A和TH1B的。
环
环
环
TIP
2 V
(BO)1
Th1a
Th1b
V
(BO)1
V
(BO)1
V
(BO)1
+ V
(BO)2
V
(BO)2
Th2
TIP
2 V
DRM1
Th1a
Th1b
V
DRM1
I
V
DRM1
V
DRM1
+ V
DRM2
Th2
TIP
保护侧
I
TIP
Th1a
I
环
Th1b
保护端
AI4JAA
V
(BO)1
+ V
(BO)2
V
DRM1
+ V
DRM2
V
DRM2
I
TIP
+ I
环
Th2
AI4JAC
AI4JAB
图11.电压保护
GR -1089 -CORE设计
图12.断态电压
图13.电流流
该标准的主要推动力波形是500 A， 2/10和100 A， 10/1000 。假设熔断电流限制器，件F1a和F1B ，合适的
TH1A和TH1B保护这些导体的电流是TISP4xxxH3BJ系列器件。接地回路保护， Th2细胞，必须额定
至少1000 A，2 /10和200 A， 10/1000 。合适的Th2细胞保护这些地电流是TISP4xxxJ1BJ系列器件。这
结构示于图14和下面的表中列出了所有的编目设备的组合。
RING给小费电压
V
DRM
V
±116
±130
±150
±180
±200
±240
±270
±290
±310
±360
环地面，
烙铁头对地电压
V
DRM
V
±116
±130
±150
±180
±200
±240
±270
±290
±310
±360
GR -1089 -CORE Y形结构件和零件的电压
TH1A ， TH1B
产品编号
TISP4070H3BJ
TISP4080H3BJ
TISP4095H3BJ
TISP4115H3BJ
TISP4125H3BJ
TISP4145H3BJ
TISP4165H3BJ
TISP4180H3BJ
TISP4200H3BJ
TISP4219H3BJ
V
（BO）
V
±140
±160
±190
±230
±250
±290
±330
±360
±400
±438
V
（BO）
V
±140
±160
±190
±230
±250
±290
±330
±360
±400
±438
Th2
产品编号
TISP4070J1BJ
TISP4080J1BJ
TISP4095J1BJ
TISP4115J1BJ
TISP4125J1BJ
TISP4145J1BJ
TISP4165J1BJ
TISP4180J1BJ
TISP4200J1BJ
TISP4219J1BJ
V
DRM
V
±58
±65
±75
±90
±100
±120
±135
±145
±155
±180
V
（BO）
V
±70
±80
±95
±115
±125
±145
±165
±180
±200
±219
2001年9月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
