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AME公司
AME8844
750毫安CMOS LDO
n
电气规格
V
IN
= V
O（ NOM ）
+2V, V
EN
= V
IN
, T
A
= 25
O
C除非另有说明
参数
输入电压
输出电压精度
输入输出电压差
输出电流
电流限制
短路电流
静态电流
接地引脚电流
线路调整
负载调整率
在1.5v1号关闭
在1.5v1号滞回
V
O
温度COEF网络cient
ADJ输入偏置电流
最小负载电流
ADJ基准电压
电源抑制
符号
V
IN
V
O
V
降
I
O
I
LIM
I
SC
I
Q
I
GND
REG
LINE
REG
负载
OTS
OTH
TC
I
ADJ
I
负载
V
REF
PSRR
I
O
=100mA
C
O
=4.7
F的陶瓷
F = 10Hz至100kHz
I
O
=10mA
I
O
=750mA
测试条件
I
O
=1mA
V
O（ NOM ）
=1.5V
V
O（ NOM ）
=1.8V
V
O
=V
Onom
-2.0%
V
O（ NOM ）
>=2.0V
V
O
>1.2V
V
O
>1.2V
V
IN
=V
O（ NOM ）
+1V, V
O
＆ LT ; 0.4V
I
O
=0mA
I
O
= 1mA至750毫安
V
O
＆ LT ; 2.0V
I
O
=1mA
4.0 > V
O
> = 2.0V
V
IN
=V
O
1到V
O
+2
4.0V < = V
O
I
O
= 1mA至750毫安
民
注1
-1.5
典型值
最大
单位
V
%
mV
mA
mA
mA
A
A
%
%
%
%
C
o
C
PPM /
o
C
A
A
V
dB
o
7
1.5
1000
SEE
650
图表
500
750
750
750
45
45
-0.15
-0.1
-0.4
-1
70
VIN = 2.5V
f=1kHz
f=10kHz
f=100kHz
Co=4.7
F
0.15
0.02 0.1
0.4
0.2
1
150
30
30
1
70
1.221 1.240 1.26
75
55
30
30
2.0
0
输出电压噪声
EN输入阈值
EN输入偏置电流
关断电源电流
输出欠压
输出过压
PG漏电流
PG电压低
eN
V
EH
V
EL
I
EH
I
EL
I
SD
V
UV
V
OV
I
LC
VRMS
VIN
V
0.4
V
1
A
1
A
2
A
84 %V
O（ NOM ）
%V
O（ NOM ）
1
A
V
IN
= 2.7V至7V
V
IN
= 2.7V至7V
V
EN
=V
IN
, V
IN
= 2.7V至7V
V
EN
=0V, V
IN
= 2.7V至7V
V
IN
=5V, V
O
=0V, V
EN
＆ LT ; V
EL
PG变低时， V
OUT
过低
PG变低时， V
OUT
过高
V
PG
=7V
0.5
105
V
OL
I
SINK
=0.25mA
0.4
V
注1 ： V
IN（分钟）
=V
OUT
+V
降
6
Rev.E.01
