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AME公司
AME8843
地电流与输入电压
45
40
750毫安CMOS LDO
负载阶跃（ 1毫安- 600毫安）
Vo(10mV/DIV)
接地电流（ μ A）
35
30
25
85
O
C
OUT
放
C
L
=2.
2F
CI
N=2.
2F
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
L
(200mA/DIV)
20
25 C
O
I
负载
0
输入电压（ V）
时间（ 20毫秒/ DIV ）
辍学电压与输出电压
0.3
0
-10
电源抑制比
辍学电压（V ）
0.25
I
负载
=600mA
PSRR （分贝）
-20
-30
-40
-50
-60
0.2
C
L
= 2.2μF钽
C
BYP
=0
100mA
0.15
0.1
100mA
10mA
0.05
-70
-80
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
10
100
A
1K
100
A
100K
1mA
10M
0
输出电压（V）
频率（Hz）
安全工作区
750
500
输出电流（mA ）
75
O
C
上升
V
IN
(1V/DIV)
线路瞬态响应
SOT-223
370
随着HS能够两次
θ
jc
3
1.2 2
输入输出电压差（ V）
V
OUT
(10mV/DIV)
C
负载
=2.2F
I
负载
=1mA
V
OUTDC
=3.3V
V
INDC
=4.5V
时间（ 200毫秒/格）
6
