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A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
擦除和编程性能
参数
扇区擦除时间
芯片擦除时间
字节编程时间
加快字节/字编程时间
Word程序时
芯片编程时间
（注3）
字节模式
文字模式
典型值（注1 ）
0.4
28
5
4
7
21
14
150
120
210
63
美国证券交易委员会
42
最大值（注2）
5
单位
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
s
s
s
不包括系统级
开销（注5 ）
评论
排除00H编程
擦除前（注4）
注意事项：
1.典型的编程和擦除时间假定以下条件： 25 ℃， 3.0 VV
CC
，百万个周期。另外，
编程标准结构假设棋盘图案。
为90℃ ，V 2，在最坏情况条件
CC
= 2.7 V （ 3.0 V的稳压装置） ， 1,000,000次循环。
3.典型的芯片编程时间比列出的最大芯片编程的时间要少得多，因为大多数字节
比计划中所列的最高纲领倍的速度。
4.在嵌入式擦除算法的预编程步骤，所有字节擦除之前为00h 。
5.系统级开销是执行的两个或四个总线周期序列的程序指令所需要的时间。看
表
13
有关命令定义的详细信息。
6.该器件具有100万次的最小擦除和编程周期耐力。
闭锁特性
描述
输入电压相对于V
SS
除了在I / O引脚的所有引脚
（包括A9 ， OE ＃和RESET ＃ ）
输入电压相对于V
SS
所有的I / O引脚
V
CC
当前
民
–1.0 V
–0.5 V
-100毫安
最大
11.0 V
V
CC
+ 0.5 V
100毫安
注意：
包括除V所有引脚
CC
。测试条件： V
CC
= 3.0V，一个销的时间。
TSOP和SO引脚电容
参数
符号
C
IN
C
OUT
C
IN2
参数说明
输入电容
输出电容
控制引脚电容
测试设置
V
IN
= 0
V
OUT
= 0
V
IN
= 0
典型值
6
8.5
8
最大
7.5
12
10
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.采样，而不是100 ％测试。
2.测试条件牛逼
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫。
数据保留
参数说明
最小模式数据保存时间
125°C
20
岁月
测试条件
150°C
民
10
单位
岁月
2003年1月27日
Am29DS320G
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